【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体cvd工艺热控制方法及其陶瓷加热器。
技术介绍
1、化学气相沉积（chemical vapor deposition，cvd）是一种常用重要的半导体器件制作工艺，将电介质和金属按照需求依次沉淀在晶圆上，从而在晶圆表面形成层叠的若干电介质薄膜层和若干金属薄膜层。其中化学气相沉积技术具体包括等离子增强化学气相沉积（pecvd）、高密度等离子化学气相沉积（hdp-cvd）、低压化学气相沉积（lpcvd）等。特别地，温度是半导体器件制作的一个重要参数，为了确保半导体器件制作的良品率和半导体器件的性能，需要对在半导体器件制作过程中进行严格精确的温度控制。
2、对于化学气相沉积工艺而言，在薄膜沉积过程中需要将晶圆温度始终维持在相应范围内，晶圆温度过高或过低都不利于电介质微粒和金属微粒在晶圆表面的沉积结合，从而降低电介质薄膜层和金属薄膜层的致密性和膜厚均匀性，为此现有技术已经利用陶瓷加热器对晶圆进行加热和保温。但是考虑到晶圆具有一定厚度与面积较大、化学气相沉积过程中cvd室内氩气等离子体形成的气...
【技术保护点】
1.一种半导体CVD工艺热控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取晶圆的表面初始温度数据，基于所述表面初始温度数据与期望表面目标温度，确定陶瓷加热部件对所述晶圆进行预加热操作的操作参数；基于所述陶瓷加热部件与所述晶圆之间的物理关系特征，构建所述预加热操作过程中所述陶瓷加热部件与所述晶圆之间的热传输模型，以此调整所述预加热操作的施加状态，具体为：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆被加热到所述期望表面目标温度时，获取所述晶圆所在的CVD室的气流特征数据，对所述气流特征数据进行分...
【技术特征摘要】
1.一种半导体cvd工艺热控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取晶圆的表面初始温度数据，基于所述表面初始温度数据与期望表面目标温度，确定陶瓷加热部件对所述晶圆进行预加热操作的操作参数；基于所述陶瓷加热部件与所述晶圆之间的物理关系特征，构建所述预加热操作过程中所述陶瓷加热部件与所述晶圆之间的热传输模型，以此调整所述预加热操作的施加状态，具体为：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶圆被加热到所述期望表面目标温度时，获取所述晶圆所在的cvd室的气流特征数据，对所述气流特征数据进行分析，确定所述晶圆与所述cvd室内部空气之间的热交换特征；基于所述热交换特征，预测所述晶圆发生温度漂移的区域位置信息，具体为：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述晶圆进行化学气相沉积初始阶段中的表面温度动态变化数据，对所述表面温度动态变化数据进行分析，预测所述晶圆在整个化学气相沉积过程中的热量传输趋势特征，具体为：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，基于所述区域位置信息和所述热量传输趋势特征，确定所述陶瓷加热部件对所述晶圆进行保温操作的目标区域；再基于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋飞田，赵豪，葛兴非，
申请(专利权)人：杭州正丰半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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