【技术实现步骤摘要】
本技术涉及除渣装置,尤其是涉及一种lec炉拔渣装置。
技术介绍
1、锑化镓单晶生长是将高纯的镓、锑元素及掺杂剂放在石英坩埚内,上面用一层覆盖剂防止元素的挥发,然后在高温熔融状态下通过温度调整,使各种元素有序地在籽晶上生长出单晶,由于元素的纯度及在生产过程中产生的各种杂质及氧化物会在熔融的液体表面聚集成团状,拉晶生产时这些杂质会粘连在籽晶上或聚集在籽晶生长点周围,干扰拉晶并造成双晶或多晶的产生,严重影响拉晶的效率和成功率,升高成本,因此需要设计一种能够去除lec液封直拉法生产锑化镓单晶时lec石英坩埚炉内团状杂质的拔渣装置
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种lec炉拔渣装置,以解决现有的装置缺少去除团状杂质的结构的技术问题。本技术提供的诸多技术方案中的优选技术方案所能产生的诸多技术效果详见下文阐述。
2、为实现上述目的,本技术提供了以下技术方案:
3、本技术提供的一种lec炉拔渣装置,包括除杂杆、固定支架和升降装置,所述升降装置套设在所述固定支架上,所述除杂杆
...【技术保护点】
1.一种LEC炉拔渣装置,其特征在于,包括除杂杆(1)、固定支架(2)和升降装置,所述升降装置套设在所述固定支架(2)上,所述除杂杆(1)通过升降杆(7)与所述升降装置相连接,所述除杂杆(1)的底部水平设置有石英棒。
2.根据权利要求1所述的一种LEC炉拔渣装置,其特征在于,所述固定支架(2)包括框架(21)和连接轴(22),所述连接轴(22)垂直的设置在所述框架(21)内,所述升降装置套设在所述连接轴(22)上。
3.根据权利要求2所述的一种LEC炉拔渣装置,其特征在于,所述升降装置包括升降杆连接装置(6)、涡杆(4)、涡轮(5)和旋转手轮(
...【技术特征摘要】
1.一种lec炉拔渣装置,其特征在于,包括除杂杆(1)、固定支架(2)和升降装置,所述升降装置套设在所述固定支架(2)上,所述除杂杆(1)通过升降杆(7)与所述升降装置相连接,所述除杂杆(1)的底部水平设置有石英棒。
2.根据权利要求1所述的一种lec炉拔渣装置,其特征在于,所述固定支架(2)包括框架(21)和连接轴(22),所述连接轴(22)垂直的设置在所述框架(21)内,所述升降装置套设在所述连接轴(22)上。
3.根据权利要求2所述的一种lec炉拔渣装置,其特征在于,所述升降装置包括升降杆连接装置(6)、涡杆(4)、涡轮(5)和旋转手轮(3),所述涡杆(4)套设在连接轴(22)上,所述旋转手轮(3)的一端设置在框架(21)上,述旋转手轮(3)的另一端与涡轮(5)连接,所述旋转手轮(3)能与所述涡轮(5)做共轴转动,所述涡轮(5)与所述涡杆(4)相啮合,且所述涡轮(5)与所述涡杆(4)相互垂直,所述升降杆连接装置(6)的两端固定在框架(21)上,所述涡杆(4)的一端通过升降杆连接装置(6)与所述升降杆(7)相连接。
4.根据权利要求3所述的一种lec炉拔渣装置,其特征在于,所述升降杆连接装置(6)包括导向杆(61)、连接座(62)和连接辅助块(63),所述导向杆(61)的两端分别固定在所述框架(21)上,所述连接座(62)套设...
【专利技术属性】
技术研发人员:张建平,石宗军,
申请(专利权)人:青岛浩瀚全材半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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