一种锑化镓表面清洗液和锑化镓衬底的清洗方法技术

本发明专利技术属于半导体材料技术领域，具体涉及一种锑化镓表面清洗液和采用该清洗液对锑化镓衬底进行清洗的方法。所述锑化镓表面清洗液由洗涤剂和水混合得到，所述洗涤剂和水的质量比为（8～15）：8，所述洗涤剂选自氢氧化铵、乙醇、醇醚、丙酮和异丙醇中的一种或几种。所述锑化镓表面清洗液的稳定性高，在对锑化镓清洗过程中无疏水现象发生，对锑化镓表面的脏污和颗粒残留清除效果好，无色差。此外，所述清洗方法简单，清洗时间短、清洗效率高，具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体材料，具体涉及一种锑化镓表面清洗液和锑化镓衬底的清洗方法。

技术介绍

1、锑化镓是ⅲ-ⅴ族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725ev（300k），晶格常数为0.60959nm。锑化镓具有优异的物理化学性能，常被用作衬底材料，如应用于8～14mm及大于14mm的红外探测器和激光器。此外，te掺杂的锑化镓可用于制备高光电转化率的热光伏器件、迭层太阳能电池及微波器件等。

2、锑化镓的制备方法主要有液封直拉法（lec法）、氢还原法等改进的直拉法、垂直梯度凝固法和垂直布里奇曼法，液封直拉法和垂直布里奇曼法易使锑化镓表面出现氧化薄膜，为解决这一问题有文献提出了双坩埚法、液封剂法和气体保护法。目前应用最多的生长方法是lec法。

3、锑化镓衬底表面性质活泼，极易氧化，在空气中刚处理过的锑化镓表面能迅速形成几个纳米的氧化层，锑氧化物存在钝化作用及溶解性有限等缺点，同时，锑化镓的化学作用困难，酸碱度极难平衡，在使用酸类和碱类药液清洗过程中极易出现衬底表面疏水、脏污、颗粒残留、表面色差等缺陷，从而无法达到生产要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种锑化镓表面清洗液，其特征在于，所述锑化镓表面清洗液由洗涤剂和水混合得到，所述洗涤剂和水的质量比为（8～15）：8，

2.根据权利要求1所述的锑化镓表面清洗液，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的锑化镓表面清洗液，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的锑化镓表面清洗液，其特征在于，

5.一种采用权利要求1至4之一所述锑化镓表面清洗液对锑化镓衬底的清洗方法，其特征在于，所述清洗方法包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，步骤1中，

7.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，步骤2中，<...

【技术特征摘要】

1.一种锑化镓表面清洗液，其特征在于，所述锑化镓表面清洗液由洗涤剂和水混合得到，所述洗涤剂和水的质量比为（8～15）：8，

2.根据权利要求1所述的锑化镓表面清洗液，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的锑化镓表面清洗液，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的锑化镓表面清洗液，其特征在于，

【专利技术属性】
技术研发人员：李昭静，王世峰，张栓平，王泽华，
申请(专利权)人：青岛浩瀚全材半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：