一种工艺腔室及薄膜沉积设备制造技术

本发明专利技术为一种工艺腔室及薄膜沉积设备，提供了一种加热盘及抽气环。所述加热盘用于承载并加热其上的晶圆，以对其进行薄膜沉积工艺。所述抽气环位于所述加热盘之下，并包括设有多个抽气孔的抽气面。所述抽气面沿其径向的外侧的第一高度大于沿其径向的内侧的第二高度，真空机构经由所述抽气面上的各所述抽气孔，倾斜地从所述工艺腔室内部抽气。用于降低排气过程中工艺腔室底部的颗粒堆积，从而提高腔室的清洁度和薄膜沉积设备的运行效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜沉积领域，尤其涉及一种工艺腔室，以及一种及薄膜沉积设备。

技术介绍

1、在半导体器件的加工过程中，化学气相沉积技术被广泛应用于在高温(例如540℃)条件下在晶圆上形成薄膜。然而，在化学气相沉积腔室中，当腔室运行达到一定的晶圆计数后，其底部的铝衬套表面会出现一层副产物颗粒的沉积，以影响后续晶圆的良率。这些颗粒在沉积和清洗过程中难以被完全清除，即使在预防性维护阶段进行水槽超声震洗和擦拭，仍然会有颗粒状残留物留在衬套表面。这种现象导致腔室部件的使用寿命降低，同时也增加了机台的维护成本。

2、为了克服上述问题，本领域亟需一种薄膜沉积技术，用于降低排气过程中工艺腔室底部的颗粒堆积，从而提高腔室的清洁度和薄膜沉积设备的运行效率。

技术实现思路

1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种工艺腔室，包括：

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室中还包括顶针驱动机构，其包括：

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，当所述顶针支板位于所述工艺位置，其第一内径大于所述抽气面在对应高度的第一抽气区域的第二内径，

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述顶针支板由导热材料制成，其中，所述导热材料选自陶瓷和/或铝合金。

5.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述抽气面的内侧还设有多个顶针支点，其中，每一所述顶针支点分别对准所述加热盘上的一个顶针过孔，用于在靠近所述加热盘时，带动所述顶针过孔中...

【技术特征摘要】

1.一种工艺腔室，包括：

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述工艺腔室中还包括顶针驱动机构，其包括：

3.如权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，当所述顶针支板位于所述工艺位置，其第一内径大于所述抽气面在对应高度的第一抽气区域的第二内径，

4.如权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述顶针支板由导热材料制成，其中，所述导热材料选自陶瓷和/或铝合金。

5.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述抽气面的内侧还设有多个顶针支点，其中，每一所述顶针支点分别对准所述加热盘上的一个顶针过孔，用于在靠近所述加热盘时，带动所述顶针过孔中顶针的顶端向上穿过所述加热盘，以抬升所述加热盘上表面的晶圆，或在远离所述加热盘时，允许所述顶针的顶端回落，以使所述晶圆回落到所述加热盘的上表面。

6.如权利要求5所述的工艺...

【专利技术属性】
技术研发人员：高级，宋宇，李文浩，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：