一种大尺寸WTi靶材及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种WTi靶材及其制备方法与应用，属于金属加工领域，本发明专利技术所述方法通过特定的原料混合以及特殊的阶段程序式烧结和压力控制工艺，使得制备的产品在不依赖特殊设备或者严苛条件的情况下即可达到高致密度和高纯度的要求，同时WTi元素的含量控制稳定性高，产品综合品质高，可实现工业化批量生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属加工领域，具体涉及一种大尺寸wti靶材及其制备方法与应用。

技术介绍

1、wti靶材因其具有高硬度、高密度、高稳定性的特点，非常适用于制备溅射薄膜靶材，其溅射得到的薄膜产品具有高失效温度、低电阻率以及高抗氧化性的综合特征。

2、然而，传统采用真空热压烧结制备的wti靶材的尺寸一般为六寸或者八寸，当采用相同工艺制备更大尺寸的产品(例如十二寸)时，产品的品质严重下降，不仅致密度、纯度等性能有所影响，甚至还可能出现较频繁的开裂现象；一些采用高精端设备或者严苛条件的工艺虽然可以制备高品质、大尺寸wti靶材，但这些工艺无法实现工业化批量生产，性价比不高。

技术实现思路

1、基于现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供了一种高效、高性价比的大尺寸wti靶材的制备方法，通过特定的原料混合以及特殊的阶段程序式烧结和压力控制工艺，使得制备的产品在直径＞440mm的大尺寸下依然可达到高致密度和高纯度的要求，不会出现开裂现象，产品综合品质高，可实现工业化批量生产。

2、为了达到上述目的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种大尺寸WTi靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述大尺寸WTi靶材的制备方法，其特征在于，所述混合粉末中，W粉和Ti粉的质量之比为(88:12)～(91:9)。

3.如权利要求1所述大尺寸WTi靶材的制备方法，其特征在于，所述W粉的纯度≥99.999％，O含量为200～250ppm，C含量为10～20ppm；Ti粉的纯度≥99.95％，O含量为2000～2500ppm，C含量为40～60ppm。

4.如权利要求1所述大尺寸WTi靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，球磨处理时的研磨球粒径为10～20mm，球料比...

【技术特征摘要】

1.一种大尺寸wti靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述大尺寸wti靶材的制备方法，其特征在于，所述混合粉末中，w粉和ti粉的质量之比为(88:12)～(91:9)。

3.如权利要求1所述大尺寸wti靶材的制备方法，其特征在于，所述w粉的纯度≥99.999％，o含量为200～250ppm，c含量为10～20ppm；ti粉的纯度≥99.95％，o含量为2000～2500ppm，c含量为40～60ppm。

4.如权利要求1所述大尺寸wti靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，球磨处理时的研磨球粒径为10～20mm，球料比为1：(2～3)，球磨转速为300～400r/min，球磨时间为10～18h。

5.如权利要求1所述大尺寸wti靶材的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘联平，马国成，朱庆全，童培云，钟小华，
申请(专利权)人：先导薄膜材料安徽有限公司，
类型：发明
国别省市：