一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺，涉及硅晶圆技术领域，所述高性能硅晶圆材料的原料包括区熔法硅晶棒，区熔法硅晶棒即采用区域熔融法对半导体棒料进行生长提纯的硅晶棒。该高性能硅晶圆材料及其制备工艺，利用区域熔融法制备的硅晶棒在制备过程中无需使用到坩埚，由于杂质分凝和蒸发效应可以生长出高电阻率的硅晶棒，硅柱通过其表面因切割产生的线槽使得各未分离的硅片正好卡入研磨夹具顶面的凹槽内，并借由硅柱的自转使其边缘处于凹槽内表面之间发生摩擦，以实现对硅片边缘处的研磨，使其边缘光滑化，由此实现硅片分割和硅片边缘处研磨作业合二为一，从而大大降低设备的空间占用率和设备成本，并大幅提高硅晶圆的制备效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅晶圆，具体为一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺。

技术介绍

1、硅晶圆：晶圆便是硅元素加以纯化，接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄的晶圆。

2、现有的硅晶圆在制备过程中对硅柱切割产生硅片以及硅片边缘处研磨使其光滑化的两道工序往往是分离具有先后顺序的，导致加工效率无法得以进一步的提高。

3、于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提出一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种高性能硅晶圆材料及其制备工艺，解决了上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种高性能硅晶圆材料，所述高性能硅晶圆材料的原料包括区熔法硅晶棒，区熔法硅晶棒即采用区域熔融法对半导体棒料进行生长提纯的硅晶棒。

3、一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，所述制备工艺包括下本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高性能硅晶圆材料，其特征在于：所述高性能硅晶圆材料的原料包括区熔法硅晶棒，区熔法硅晶棒即采用区域熔融法对半导体棒料进行生长提纯的硅晶棒。

2.根据权利要求1所述的一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括下述操作步骤：

3.根据权利要求2所述的一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，其特征在于：所述S1步骤中，热能的产生采用电子轰击、高频感应或光学聚焦法，且熔区部位的材料融化并靠表面张力支持而不坠落，而且单晶的晶向与籽晶相同。

4.根据权利要求2所述的一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，其特征在于：所述S2步骤中，在研磨硅柱时硅柱自转，而...

【技术特征摘要】

1.一种高性能硅晶圆材料，其特征在于：所述高性能硅晶圆材料的原料包括区熔法硅晶棒，区熔法硅晶棒即采用区域熔融法对半导体棒料进行生长提纯的硅晶棒。

2.根据权利要求1所述的一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，其特征在于：所述制备工艺包括下述操作步骤：

3.根据权利要求2所述的一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，其特征在于：所述s1步骤中，热能的产生采用电子轰击、高频感应或光学聚焦法，且熔区部位的材料融化并靠表面张力支持而不坠落，而且单晶的晶向与籽晶相同。

4.根据权利要求2所述的一种高性能硅晶圆材料的制备工艺，其特征在于：所述s2步骤中，在研磨硅柱时硅柱自转，而研磨结构于硅柱顶部表面对其加以研磨，而在硅柱底部设置有呈线状分布的压力传感器组，并且在硅柱一侧设置有擦拭辊结构，在研磨期间，擦拭辊贴于硅柱侧面以清理研磨产生的残渣，擦拭后的硅柱表面顺势旋转至底部，此时压力传感器组实时检测压力数值，当各部位的传感器所感应的压力处于阈值内时则表示硅柱各部位的直径以达到预设尺寸。

5.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：员英杰，李居知，梁超，王华野，
申请(专利权)人：苏州航新恒咨询管理合伙企业有限合伙，
类型：发明
国别省市：