一种高硬度高导电性能钯基合金超薄带材、探针及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高硬度高导电性能钯基合金超薄带材、探针及其制备方法。本发明专利技术钯基合金超薄带材，由以下质量比的金属原料组成：Pd 46%~51%、Cu 38.5%~42.5%、Ag 8.5%~12.5%、Ru 0.2%~3.0%，Pt 0.1%~0.5%；所述钯基合金超薄带材的物相主要由Pd‑Ag固溶体、Pd‑Cu固溶体、CuPd有序相、Cu<subgt;3</subgt;Pd有序相组成，平均晶粒尺寸0.2~3μm；其中Ru以单质形式独立存在，在宏观区域上沿轧制方向呈不连续的纤维状分布。本发明专利技术提供的成品钯基合金超薄带材可作为探针零件直接使用，其制备方法具有成品率高，生产效率高的特点，基于所述钯基合金超薄带材的垂直式探针具备该钯基合金超薄带材的高硬度、高强度、高电导率、高弹性、高表面质量和高平面度的基础特性，在晶圆测试中表现出优异的耐电流、抗疲劳、耐磨的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于合金材料，具体涉及一种高硬度高导电性能钯基合金超薄带材、探针及其制备方法。

技术介绍

1、半导体晶圆测试所用探针是晶圆测试的核心零部件和耗材，用于待测晶圆/引脚和测试机之间的精密连接，具有实现信号传输以检测电流、通导等功能。为了满足最小间距的要求，探针尺寸达到微米级，因此探针必须具备足够的硬度、强度和弹性、优异的载流能力以及高低温下表现稳定的接触电阻，以此满足探针结构设计和使用环境要求。

2、除了亟待解决高电导率和优异的机械性能之间的矛盾关系，随着集成电路高密度化、探针精尖化，探针表面微小缺陷（如划痕、凹坑、夹杂等）和平面度差（如翘曲、边波、中浪等）极大可能影响探针良率及晶圆检测可靠性，如使探针在与待测晶圆反复接触中折断，探针表面氧化影响接触电阻，探针翘曲影响探针排列一致性进而造成开路假象，故对探针所用材料的表面质量和平面度提出了更高的要求。

3、贵金属电接触材料高温下物理-化学性质稳定，克服了探针用材料如覆au镀层的be-cu系合金使用中镀层易磨损、re-w系合金高温耐氧化性差的缺点。钯基合金作为贵金属电接触材料中主本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高硬度高导电性能钯基合金超薄带材，其特征在于，由以下质量比的金属原料组成：Pd 46%~51%、Cu 38.5%~42.5%、Ag 8.5%~12.5%、Ru 0.2%~3.0%，Pt 0.1%~0.5%；

2.根据权利要求1所述高硬度高导电性能钯基合金超薄带材，其特征在于，所述钯基合金超薄带材维氏硬度为450~500HV0.1，电导率为22~25%IACS，抗拉强度为1100~1400MPa，弹性模量为110~160GPa，厚度为30~60μm，厚度公差≤1μm，表面无氧化、无划痕、无凹坑，有金属光泽，表面粗糙度Ra≤0.2μm，平面度≤0.01mm。

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【技术特征摘要】

1.一种高硬度高导电性能钯基合金超薄带材，其特征在于，由以下质量比的金属原料组成：pd 46%~51%、cu 38.5%~42.5%、ag 8.5%~12.5%、ru 0.2%~3.0%，pt 0.1%~0.5%；

2.根据权利要求1所述高硬度高导电性能钯基合金超薄带材，其特征在于，所述钯基合金超薄带材维氏硬度为450~500hv0.1，电导率为22~25%iacs，抗拉强度为1100~1400mpa，弹性模量为110~160gpa，厚度为30~60μm，厚度公差≤1μm，表面无氧化、无划痕、无凹坑，有金属光泽，表面粗糙度ra≤0.2μm，平面度≤0.01mm。

3.权利要求1所述高硬度高导电性能钯基合金超薄带材的制备方法，其特征在于，包括熔铸、固溶处理、大变形冷轧、表面抛光和清洁、时效矫平处理工序；

4.根据权利要求3所述高硬度高导电性能钯基合金超薄带材的制备方法，其特征在于，所述时效矫平处理为带张力时效处理，具体是将带材固定在矫平治具上，放入真空热处理炉中保温一定时间后采用n2冷却；升温速率≥1℃/s，保温温度350~420℃，保温时间0.5~3h，冷却速率≦3℃/min。...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗仙慧，罗雄科，谭志龙，巫小飞，陶克文，王光庆，王兴宇，徐裕来，彭韬，
申请(专利权)人：贵研功能材料云南有限公司，
类型：发明
国别省市：