【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法及显示装置。
技术介绍
1、发光二极管，简称为led，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，在照明领域应用广泛。近年来，为了满足发光器件对更高亮度和更长寿命的需求，具备两层或两层以上发光层的叠层器件结构应运而生，这种叠层器件采用连接层(icl)将两个或多个发光单元串联起来，具有高电流效率(ce)的优点和长运行寿命。
2、然而，叠层器件中，传统的电子传输层与电荷产生层之间存在较高的势垒，使icl电压非常高，器件运行过程中会增加额外的能耗。
技术实现思路
1、鉴于此，本申请提供一种发光器件及其制备方法及显示装置，旨在降低叠层器件的运行能耗。
2、本申请实施例是这样实现的：
3、第一方面，本申请提供一种发光器件，包括依次层叠设置的阳极、第一发光层、第一电子功能层、第一功能层、电荷产生单元、第二发光层以及阴极；
4、其中，所述电荷产生单元包括层叠设置的n型层和p型层，所述n型层靠近所述阳极，所述第一功能层的材料包括g-c3n4。
5、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一功能层的材料还包括纳米粒子，且所述纳米粒子的导带能级为-5.1ev～-3.5ev。
6、可选的，在本申请的一些实施例中，所述纳米粒子包括碳量子点、金属量子点、金属合金量子点中的一种或多种，所述金属量子点包括ag、al、au、cu、ga、in中的一种或多种，所述金属合金量子点包括izo
7、所述第一功能层的厚度为5～10nm；和/或，
8、所述第一功能层的材料为g-c3n4和纳米粒子的复合物，所述纳米粒子和g-c3n4的复合物中，所述纳米粒子和所述g-c3n4的摩尔比为1～2：10。
9、可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光器件还包括，位于所述n型层和所述第一电子功能层之间的至少一个第二功能层，所述第一功能层的至少一侧设有所述第二功能层，所述第二功能层的材料包括具有如下式(1)所示的结构的化合物；
10、
11、其中，r1～r4各自独立地选自氢、卤素、羟基、羧基、硝基、磺酸基、醛基、巯基、氰基、c1～c10的烷基、c1～c10的烷氧基、环原子数为6至60的芳基、环原子数为6至60的杂芳基中的一种或多种的组合。
12、可选的，在本申请的一些实施例中，r1～r4各自独立地选自氢、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、羟基和卤素基团的一种或多种。
13、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二功能层的材料包括具有如下式(2)至(6)任一项所示结构的化合物中的一种或多种。
14、
15、可选的，在本申请的一些实施例中，所述第二功能层的厚度小于等于5nm。
16、可选的，在本申请的一些实施例中，所述n型层的材料包括磷钼酸、氧化钼、pedot掺有s-moo3的衍生物、掺有s-moo3的pedot:pss、铌掺杂氧化钼、镧掺杂氧化钼中的至少一种；和/或，
17、所述第一电子功能层的材料包括金属氧化物、掺杂金属氧化物、iib-via族材料、iiib-va族材料及ib-iiib-via族材料中的一种或多种；所述金属氧化物包括zno、tio2、sno2、al2o3、v2o5、v3o8、cro3、wo3、fe2o3、fe3o4、cuo、moo2、nb2o5、bao、moo3、cdo、bao、ta2o5、batio3、pbcro4中的一种或多种；所述掺杂金属氧化物中的金属氧化物包括zno、tio2、sno2、v2o5、v3o8、cro3、wo3、fe2o3、fe3o4、cuo、moo2、nb2o5、bao、moo3、cdo、bao、ta2o5、batio3、pbcro4中的多种，掺杂元素包括al、mg、li、in、ga中的一种或多种；所述iib-via族半导体材料包括zns、znse、cds、cdse中的一种或多种；所述iiib-va族半导体材料包括inp、gap中的一种或多种；所述ib-iiib-via族半导体材料包括cuins、cugas中的一种或多种；和/或，
18、所述p型层的材料包括4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-甲基苯基-n-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(n-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、n,n,n',n'-四芳基联苯胺、pedot:pss及其衍生物、聚(n-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、n,n'-二(萘-1-基)-n,n'-二苯基联苯胺、螺npb、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、c60、掺杂或非掺杂的nio、掺杂或非掺杂的moo3、掺杂或非掺杂的wo3、掺杂或非掺杂的v2o5、掺杂或非掺杂的p型氮化镓、掺杂或非掺杂的cro3、掺杂或非掺杂的cuo中的至少一种；和/或，
19、所述第一发光层和所述第二发光层的材料各自独立的选自单一结构量子点、核壳结构量子点及钙钛矿型半导体材料中的至少一种；所述单一结构量子点的材料、核壳结构量子点的核材料及核壳结构量子点的壳层材料分别选自ii-vi族化合物、iv-vi族化合物、iii-v族化合物和i-iii-vi族化合物中的至少一种；所述ii-vi族化合物选自cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、cdznses、cdznsete、cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete及hgznste中的至少一种；所述iv-vi族化合物选自sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte、snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、sn本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、第一发光层、第一电子功能层、第一功能层、电荷产生单元、第二发光层以及阴极；
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一功能层的材料还包括纳米粒子，且所述纳米粒子的导带能级为-5.1eV～-3.5eV。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述纳米粒子包括碳量子点、金属量子点、金属合金量子点中的一种或多种，所述金属量子点包括Ag、Al、Au、Cu、Ga、In中的一种或多种，所述金属合金量子点包括IZO、ITO、FTO中的一种或多种；和/或，
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述N型层和所述第一电子功能层之间的至少一个第二功能层，所述第一功能层的至少一侧设有所述第二功能层，所述第二功能层的材料包括具有如下式(1)所示的结构的化合物；
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，R1～R4各自独立地选自氢、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、羟基和卤素基团的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的发光器
7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二功能层的厚度小于等于5nm。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述N型层的材料包括磷钼酸、氧化钼、掺有s-MoO3的PEDOT、掺有s-MoO3的PEDOT:PSS、铌掺杂氧化钼、镧掺杂氧化钼中的至少一种；和/或，
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设于所述第一发光层和所述阳极之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料选自4,4'-N,N'-二咔唑基-联苯、N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、N,N'-二苯基-N,N'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-双(苯基)-螺、N,N'-二(4-(N,N'-二苯基-氨基)苯基)-N,N'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(N-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺、聚[(9,9'-二辛基芴-2,7-二基)-co-(4,4'-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺))]、聚(4-丁基苯基-二苯基胺)、聚苯胺、聚吡咯、聚(对)亚苯基亚乙烯基、聚(亚苯基亚乙烯基)、聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]和聚[2-甲氧基-5-(3',7'-二甲基辛氧基)-1,4-亚苯基亚乙烯基]、铜酞菁、芳香族叔胺、多核芳香叔胺、4,4'-双(对咔唑基)-1,1'-联苯化合物、N,N,N',N'-四芳基联苯胺、PEDOT:PSS及其衍生物、聚(N-乙烯基咔唑)及其衍生物、聚甲基丙烯酸酯及其衍生物、聚(9,9-辛基芴)及其衍生物、聚(螺芴)及其衍生物、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺、螺NPB、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60、掺杂或非掺杂的NiO、掺杂或非掺杂的MoO3、掺杂或非掺杂的WO3、掺杂或非掺杂的V2O5、掺杂或非掺杂的P型氮化镓、掺杂或非掺杂的CrO3、掺杂或非掺杂的CuO中的至少一种；和/或，
10.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一功能层材料的溶液的溶剂包括碳原子数为1～4的醇，所述碳原子数为1～5的醇选自甲醇、乙醇、异丙醇、丁二醇中的一种或多种；和/或，
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述纳米粒子包括碳量子点、金属量子点、金属合金量子点中的一种或多种，所述金属量子点包括Ag、Al、Au、Cu、Ga、In中的一种或多种，所述金属合金量子点包括IZO、ITO、FTO中的一种或多种；和/或，
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：提供第二功能层材料的溶液，将所述第二功能层材料的溶液设置预设膜层表面上，形成第二功能层；
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，所述第二功能层材料的溶液的溶剂包括乙酸乙酯、苯、二甲苯、氯苯、联环己烷、乙腈中的一种或多种；和/或，
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括发光器件，所述发光器件包括权利要求1至9任一项所述的发光器件，或者，由权利要求10至14任一项所述的制备方法制得。
...【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的阳极、第一发光层、第一电子功能层、第一功能层、电荷产生单元、第二发光层以及阴极；
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一功能层的材料还包括纳米粒子，且所述纳米粒子的导带能级为-5.1ev～-3.5ev。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述纳米粒子包括碳量子点、金属量子点、金属合金量子点中的一种或多种，所述金属量子点包括ag、al、au、cu、ga、in中的一种或多种，所述金属合金量子点包括izo、ito、fto中的一种或多种；和/或，
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括位于所述n型层和所述第一电子功能层之间的至少一个第二功能层，所述第一功能层的至少一侧设有所述第二功能层，所述第二功能层的材料包括具有如下式(1)所示的结构的化合物；
5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，r1～r4各自独立地选自氢、碳原子数为1～5的烷基、碳原子数为1～5的烷氧基、羟基和卤素基团的一种或多种。
6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二功能层的材料包括具有如下式(2)至(6)任一项所示结构的化合物中的一种或多种。
7.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述第二功能层的厚度小于等于5nm。
8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述n型层的材料包括磷钼酸、氧化钼、掺有s-moo3的pedot、掺有s-moo3的pedot:pss、铌掺杂氧化钼、镧掺杂氧化钼中的至少一种；和/或，
9.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括设于所述第一发光层和所述阳极之间的空穴传输层，所述空穴传输层的材料选自4,4'-n,n'-二咔唑基-联苯、n,n'-二苯基-n,n'-双(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4”-二胺、n,n'-二苯基-n,n'-双(3-甲基苯基)-(1,1'-联苯基)-4,4'-二胺、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-双(苯基)-螺、n,n'-二(4-(n,n'-二苯基-氨基)苯基)-n,n'-二苯基联苯胺、4,4',4'-三(n-咔唑基)-三苯胺、4,4',4'-三(n-3-...
【专利技术属性】
技术研发人员：袁密，芦子哲，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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