【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及人工神经元器件领域，尤其涉及一种反铁电人工神经元器件及其制备方法。
技术介绍
1、在构建人工神经网络硬件系统时，选择合适的材料至关重要，因为这直接影响着系统的性能、能耗和可行性。hfo2（氧化铪）基铁电材料因其在互补金属氧化物半导体（cmos）工艺中的兼容性和优越的电气性能，被广泛研究用于制造非易失性存储器元件，比如fefets（铁电场效应晶体管），这些元件能够模拟神经元的阈值激发行为。
2、然而，铁电材料固有的非易失性意味着一旦极化，除非外加反向电压，否则其状态会保持不变，这与生物神经元的瞬态电位变化并不完全匹配，需要额外的反馈路径，以实现激发后的自发复位，且工艺复杂，增加了硬件成本，增大功耗和操作复杂性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提出能够实现人工神经元的基本特性，包括积累、激发和自恢复的一种反铁电人工神经元器件及其制备方法。
2、本专利技术提出了一种反铁电人工神经元器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成第一金属层，作为第一电极；...
【技术保护点】
1.一种反铁电人工神经元器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供衬底包括：对衬底进行RCA清洗工艺清洗，之后用氮气对衬底进行吹干。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成第一金属层，作为第一电极，包括：使用物理气象沉积法沉积第一金属层，所述第一金属层厚度为80nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，使用等离子体原子层沉积法沉积铪锆氧化物薄膜，包括：
6.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种反铁电人工神经元器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供衬底包括：对衬底进行rca清洗工艺清洗，之后用氮气对衬底进行吹干。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底上形成第一金属层，作为第一电极，包括：使用物理气象沉积法沉积第一金属层，所述第一金属层厚度为80nm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一金属层上形成铪锆氧化物薄膜包括：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，使用等离子体原子层沉积法沉积铪锆氧化物薄膜，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在铪锆氧化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈琳，徐康力，王天宇，孟佳琳，孙清清，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：
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