【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，具体而言，涉及一种采用混合键合技术实现的半导体器件及其封装方法。
技术介绍
1、在集成电路封装领域，为了提升集成度和功能多样性，封装尺寸不变的情况下，需要容纳更多种类和数量的芯片。然而，现有技术中芯片尺寸的增大导致封装空间利用和热管理面临挑战。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体器件及其封装方法，通过创新的混合键合技术，有效解决现有集成电路封装中因芯片数量和尺寸增加而带来的空间占用和封装难题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：导电层，包括目标导电部、接地部和支撑部，所述接地部沿第一方向位于所述支撑部的两侧，所述目标导电部沿所述第一方向位于所述接地部远离所述支撑部的两侧，所述目标导电部包括第一导电部和第二导电部，所述第二导电部沿所述第一方向位于所述第一导电部远离所述接地部的一侧；第一芯片，所述第一芯片位于所述支撑部的第一表面上，所述第一芯片分别与所述第一导电部和所述接地部电连接，所述第一芯片为采用引线...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层为阶梯型结构，所述导电层的第二导电部为凸起结构，所述凸起结构的凸起方向为沿所述第一芯片的中心点指向所述第二芯片的中心点的方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部包括第一子导电部和第二子导电部，所述第二芯片还包括：
6.根据权利要求2所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层为阶梯型结构，所述导电层的第二导电部为凸起结构，所述凸起结构的凸起方向为沿所述第一芯片的中心点指向所述第二芯片的中心点的方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部包括第一子导电部和第二子导电部，所述第二芯片还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部还包括第一倒角，所述第一倒角位于远离所述第一导电部的一端，所述第一倒角用于防止填充胶溢出。
【专利技术属性】
技术研发人员：赵文杰，张箭，林姿吟，周颖，
申请(专利权)人：硅谷数模苏州半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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