【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体封装，具体而言，涉及一种采用混合键合技术实现的半导体器件及其封装方法。
技术介绍
1、在集成电路封装领域，为了提升集成度和功能多样性，封装尺寸不变的情况下，需要容纳更多种类和数量的芯片。然而，现有技术中芯片尺寸的增大导致封装空间利用和热管理面临挑战。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种半导体器件及其封装方法，通过创新的混合键合技术，有效解决现有集成电路封装中因芯片数量和尺寸增加而带来的空间占用和封装难题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：导电层，包括目标导电部、接地部和支撑部，所述接地部沿第一方向位于所述支撑部的两侧，所述目标导电部沿所述第一方向位于所述接地部远离所述支撑部的两侧，所述目标导电部包括第一导电部和第二导电部，所述第二导电部沿所述第一方向位于所述第一导电部远离所述接地部的一侧；第一芯片，所述第一芯片位于所述支撑部的第一表面上，所述第一芯片分别与所述第一导电部和所述接地部电连接，所述第一芯片为采用引线键合方式与所述导电层进行互连的芯片，所述第一方向与所述第一表面平行；第二芯片，所述第二芯片位于所述第一芯片背离所述导电层的一侧，所述第二芯片与所述第二导电部电连接，所述第二芯片为采用倒装焊技术与所述导电层进行互连的芯片。
3、可选地，所述导电层为阶梯型结构，所述导电层的第二导电部为凸起结构，所述凸起结构的凸起方向为沿所述第一芯片的中心点指向所述第二芯片的中心点的方向。
4、
5、可选地，所述半导体器件还包括：填充层，所述填充层位于所述封装层与所述第二芯片之间，所述填充层完全覆盖所述封装层且覆盖部分所述导电层的第二导电部。
6、可选地，所述第二导电部包括第一子导电部和第二子导电部，所述第二芯片还包括：多个金属凸块，所述第二芯片通过所述金属凸块与所述第二导电部电连接，所述金属凸块与所述导电层的第一表面接触，所述第一子导电部和所述第二子导电部分别与至少一个所述金属凸块接触。
7、可选地，所述第二导电部还包括第一倒角，所述第一倒角位于远离所述第一导电部的一端，所述第一倒角用于防止填充胶溢出。
8、根据本申请的另一方面，提供了一种半导体器件的封装方法，包括：提供导电层，所述导电层包括目标导电部、接地部和支撑部，所述接地部沿第一方向位于所述支撑部的两侧，所述目标导电部沿所述第一方向位于所述接地部远离所述支撑部的两侧，所述目标导电部包括第一导电部和第二导电部，所述第二导电部沿所述第一方向位于所述第一导电部远离所述接地部的一侧；将第一芯片设置在所述支撑部的第一表面上，并采用引线键合方式将所述第一芯片分别与所述第一导电部和所述接地部通过导线电连接，所述第一方向与所述第一表面平行；将第二芯片设置在所述第一芯片背离所述导电层的一侧，并采用倒装焊技术将所述第一芯片与所述第二导电部电连接。
9、可选地，提供导电层，包括：提供初始导电层；对所述初始导电层进行刻蚀处理，得到所述第一导电部、所述第二导电部、所述接地部和所述支撑部；对所述第一导电部和所述第二导电部进行弯角成型处理，以将所述初始导电层处理为阶梯型结构的所述导电层，所述第二导电部为凸起结构。
10、可选地，在将第一芯片设置在所述支撑部的第一表面上，并采用引线键合方式将所述第一芯片分别与所述第一导电部和所述接地部通过导线电连接之后，且在将第二芯片设置在所述第一芯片背离所述导电层的一侧，并采用倒装焊技术将所述第一芯片与所述第二导电部电连接之前，所述方法还包括：在所述第一芯片背离所述导电层的一侧上沉积封装材料，以得到封装层，所述封装层完全覆盖所述第一芯片、所述第一导电部、所述接地部、所述支撑部以及凹槽，所述凹槽包括所述第一导电部与所述接地部之间的凹槽以及所述接地部与所述支撑部之间的凹槽。
11、可选地，所述第二芯片包括多个金属凸块，所述第二芯片通过所述金属凸块与所述第二导电部连接，在将第二芯片设置在所述第一芯片背离所述导电层的一侧，并采用倒装焊技术将所述第一芯片与所述第二导电部电连接之后，所述方法还包括：在所述第二芯片与所述封装层之间的间隙中注入填充材料，形成填充层，所述填充层分别与所述封装层背离所述第一芯片的一侧表面以及所述第二芯片接触，所述填充层完全包裹各所述金属凸块。
12、应用本申请的技术方案，上述半导体器件，包括：导电层，包括目标导电部、接地部和支撑部，接地部沿第一方向位于支撑部的两侧，目标导电部沿第一方向位于接地部远离支撑部的两侧，目标导电部包括第一导电部和第二导电部，第二导电部沿第一方向位于第一导电部远离接地部的一侧；第一芯片，第一芯片位于支撑部的第一表面上，第一芯片分别与第一导电部和接地部电连接，第一芯片为采用引线键合方式与导电层进行互连的芯片，第一方向与第一表面平行；第二芯片，第二芯片位于第一芯片背离导电层的一侧，第二芯片与第二导电部电连接，第二芯片为采用倒装焊技术与导电层进行互连的芯片。该半导体器件采用混合键合封装，在引线键合芯片上同时封装倒装焊芯片，可以减少芯片占用的空间，且第一芯片和第二芯片共用相同一个引脚，增加了引线键合芯片和倒装焊芯片的信号链接，解决现有的集成电路中需求的芯片数量较大，且芯片的尺寸也较大，导致芯片占用空间大封装较困难的问题。
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1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层为阶梯型结构，所述导电层的第二导电部为凸起结构，所述凸起结构的凸起方向为沿所述第一芯片的中心点指向所述第二芯片的中心点的方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部包括第一子导电部和第二子导电部，所述第二芯片还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部还包括第一倒角，所述第一倒角位于远离所述第一导电部的一端，所述第一倒角用于防止填充胶溢出。
7.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，提供导电层，包括：
9.根据权利要求7所述的封装方法，其特征在于，在将第一芯片设置在所述支撑部的第一表面上，并采用引线键合方式将所述第一芯片分别与所述第一导电部和
10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述第二芯片包括多个金属凸块，所述第二芯片通过所述金属凸块与所述第二导电部连接，在将第二芯片设置在所述第一芯片背离所述导电层的一侧，并采用倒装焊技术将所述第一芯片与所述第二导电部电连接之后，所述方法还包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述导电层为阶梯型结构，所述导电层的第二导电部为凸起结构，所述凸起结构的凸起方向为沿所述第一芯片的中心点指向所述第二芯片的中心点的方向。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部包括第一子导电部和第二子导电部，所述第二芯片还包括：
6.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二导电部还包括第一倒角，所述第一倒角位于远离所述第一导电部的一端，所述第一倒角用于防止填充胶溢出。
【专利技术属性】
技术研发人员：赵文杰，张箭，林姿吟，周颖，
申请(专利权)人：硅谷数模苏州半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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