【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及制程，特别涉及一种制程方法。
技术介绍
1、现有的0.5um gate制程与0.15um gate制程分为2道工艺集成。一般作业0.5um线宽gate制程流程为对晶圆表面碱洗，去除表面氧化物，然后涂布i-line光阻，经i-line曝光、显影，形成0.5um线宽，接着蒸镀金属，形成金属结构a，最后去除多余金属和i-line光阻。一般作业0.15um线宽gate制程流程为表面碱洗，去除表面氧化物，涂布e-beam光阻，采用e-beam描写和显影，经显影后形成0.15um线宽，然后蒸镀金属，形成金属结构b，最后去除多余金属和光阻去除。i-line方式，效率高，但是精度低于e-beam方式；而e-beam方式相反，精度高，效率低。
2、采用上述的方式存在以下三个问题：(1)0.5um制程与0.15um制程为2道工艺集成，需蒸镀2次，浪费贵金，加大生产成本；(2)在0.15um和0.5um制程上晶圆表面需经2次表面清洗，2次光阻去除，增大制程风险；(3)采用2道工艺集成，制程步骤多，不利于流片效率。
【技术保护点】
1.一种制程方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于：所述第一线宽凹槽的宽度为0.15um，所述第二线宽凹槽的宽度为0.5um。
3.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于：所述第一顶凹槽的宽度大于所述第一线宽凹槽，所述第二顶凹槽的宽度大等于所述第二线宽凹槽。
4.如权利要求3所述的制程方法，其特征在于：所述第一顶凹槽的宽度为所述第一线宽凹槽的3-5倍，所述第二顶凹槽的宽度为所述第二线宽凹槽的1-2倍。
5.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于：所述E-beam光阻A为PMMA，所述...
【技术特征摘要】
1.一种制程方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于：所述第一线宽凹槽的宽度为0.15um，所述第二线宽凹槽的宽度为0.5um。
3.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于：所述第一顶凹槽的宽度大于所述第一线宽凹槽，所述第二顶凹槽的宽度大等于所述第二线宽凹槽。
4.如权利要求3所述的制程方法，其特征在于：所述第一顶凹槽的宽度为所述第一线宽凹槽的3-5倍，所述第二顶凹槽的宽度为所述第二线宽凹槽的1-2倍。
5.如权利要求1所述的制程方法，其特征在于：所述e-beam光阻a为pmma，所述e-beam光阻b为mma；或者，所述e-beam光阻a为m...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄光伟，张朝闵，陈建星，吴靖，
申请(专利权)人：福建省福联集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。