【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体封装，具体涉及一种晶圆级封装模具孔径优化系统及方法。
技术介绍
1、在半导体晶圆封装领域，通常需要在晶圆上固化一层塑封料，保护晶圆内部结构不受外部环境干扰而失效。主要工作过程为：在下模腔放置晶圆，合上上模腔，晶圆上的塑封料受模具温度影响固化成型，之后打开上模腔，由于下模腔与晶圆之间的吸附力较弱，晶圆易被上模腔粘起，影响后续工艺。
技术实现思路
1、为解决现有技术中存在的技术问题，本专利技术的目的在于提供一种晶圆级封装模具孔径优化系统及方法。
2、为实现上述目的，达到上述技术效果，本专利技术采用的技术方案为：
3、一种晶圆级封装模具孔径优化系统，包括：
4、上型模腔，包括上型腔模盒和上模腔，所述上模腔设置于上型腔模盒内；
5、下型模腔，包括下型腔模盒和下模腔，所述下模腔用于承载晶圆片，所述下模腔中设置有真空线路；
6、所述上型腔模盒能够与下型腔模盒面面相接形成密封空间，通过真空线路抽真空能够使下模腔与放置于其上的晶圆片之间形成的空间处于真空状态并将晶圆片牢固吸附在下模腔上，所述晶圆片在真空状态的空间内进行塑封。
7、进一步的，所述下型腔模盒和下模腔设置于下型腔地板上，所述下型腔地板与下模腔中均设置有真空线路，所述下型腔地板与下模腔中的真空线路相连通，所述真空线路与外部真空机相连。
8、进一步的，所述上型腔模盒与下型腔模盒之间设置有密封圈ⅰ。
9、进一步的，所述下模腔顶部
10、进一步的，所述喇叭型开口处通过圆型钻头旋转机械切削挖出圆形槽，直径为0.8-1.5mm。
11、进一步的，所述下模腔中的真空线路上开设有若干个真空孔，直径为1-2mm。
12、进一步的，所述上型模腔与外部驱动电机相连，通过驱动电机控制上型模腔朝向或背向下型模腔移动。
13、本专利技术还公开了一种晶圆级封装模具孔径优化方法，包括以下步骤：
14、1)提供一上型模腔，上型模腔包括上型腔模盒和上模腔，所述上模腔设置于上型腔模盒内；
15、2)制备下型模腔：
16、21)提供一原始模腔，原始模腔包括下型腔地板及设置于其上的下型腔模盒和下模腔，在下型腔地板与下模腔中设置真空线路，并使下型腔地板与下模腔中的真空线路相连通，将真空线路与外部真空机相连，在下模腔中的真空线路上开设若干个真空孔；
17、22)在下模腔顶部开喇叭型开口；
18、23)在喇叭型开口处通过圆型钻头旋转机械切削挖出圆形槽，随后将密封圈安装在圆形槽内，从而得到下型模腔；
19、3)先在晶圆片中心点上塑封料，再将晶圆片放置在下模腔上；
20、4)控制上型模腔朝向下型模腔移动至上型腔模盒与下型腔模盒面面相接，上型腔模盒与下型腔模盒二者之间通过密封圈进行密封，形成密封空间，通过真空线路抽真空使晶圆片与下模腔之间形成的空间处于真空状态并将晶圆片牢固吸附在下模腔上，同时使晶圆片中心的塑封料开始向晶圆片边缘铺开，受温度影响最终固化成型，完成晶圆片在真空状态的空间内的塑封工作；
21、5)待塑封结束后，控制上型模腔背向下型模腔移动，在此过程中，晶圆片受真空吸附作用，不会因上型模腔打开而被带起。
22、进一步的，步骤4)中，塑封工艺参数为：压力30-35t、固化时间500-600s、模具温度125±5℃。
23、与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
24、本专利技术公开了一种晶圆级封装模具孔径优化系统及方法，通过增设喇叭型开口，可增加晶圆片被真空吸附后受力面积，搭配圆形槽和密封圈可增加空间密封性和真空度，有利于提高吸附晶圆片的能力，避免打开上型模腔时被上型模腔带起。
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1.一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述下型腔模盒和下模腔设置于下型腔地板上，所述下型腔地板与下模腔中均设置有真空线路，所述下型腔地板与下模腔中的真空线路相连通，所述真空线路与外部真空机相连。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述上型腔模盒与下型腔模盒之间设置有密封圈Ⅰ。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述下模腔顶部设置有喇叭型开口，所述喇叭型开口处设置有圆形槽，用于安装密封圈Ⅱ。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述喇叭型开口处通过圆型钻头旋转机械切削挖出圆形槽，直径为0.8-1.5mm。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述下模腔中的真空线路上开设有若干个真空孔，直径为1-2mm。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述上型模腔与外部驱动电机
8.一种晶圆级封装模具孔径优化方法，其特征在于，包括以下步骤：
9.根据权利要求8所述的一种晶圆级封装模具孔径优化方法，其特征在于，步骤4)中，塑封工艺参数为：压力30-35T、固化时间500-600s、模具温度125±5℃。
...【技术特征摘要】
1.一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述下型腔模盒和下模腔设置于下型腔地板上，所述下型腔地板与下模腔中均设置有真空线路，所述下型腔地板与下模腔中的真空线路相连通，所述真空线路与外部真空机相连。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述上型腔模盒与下型腔模盒之间设置有密封圈ⅰ。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统，其特征在于，所述下模腔顶部设置有喇叭型开口，所述喇叭型开口处设置有圆形槽，用于安装密封圈ⅱ。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆级封装模具孔径优化系统...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡杰，马书英，陈志华，
申请(专利权)人：华天科技昆山电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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