喷嘴装置以及干法刻蚀设备制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了喷嘴装置以及干法刻蚀设备，所述喷嘴装置包括：上向下依次层叠的线圈装配、盖板、调整支架、以及，与盖板连接且延伸至外侧的喷嘴管路；其中，喷嘴管路包括气体传输管和喷嘴，气体传输管的一端连接喷嘴，另一端连接有气体输入部，气体传输管内壁的表面粗糙度小于或等于预设值；线圈装配上设置有第一通孔，第一通孔的半径大于或等于喷嘴的半径，以使得喷嘴透过线圈装配，连接至盖板；盖板设置有第二通孔，第二通孔与喷嘴相匹配，用于基于喷嘴管路构成传输气体的通路；调整支架与盖板卡合，用于支撑盖板和线圈装配。本发明专利技术实施例能够减少颗粒物堆积，保证晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术实施例涉及半导体制造，具体涉及一种喷嘴装置以及干法刻蚀设备。

技术介绍

1、集成电路(ic)的制造包括在反应腔室内对晶圆进行多种处理，包括在晶圆上沉积多层薄膜、在晶圆中刻蚀多个孔洞和在多个孔洞中填充不同材质等。在刻蚀过程中，反应气体会由气体分配器(gas panel)分配至不同的气体喷嘴(gas injector)，再由所述气体喷嘴喷洒至反应腔室中,并在所述反应腔室中进行反应,对晶圆的表面进行刻蚀。

2、然而，由于反应气体经由喷嘴管路中的喷嘴注入刻蚀反应腔室中，长时间的反应会导致喷嘴管路中形成有聚积性的粉末，当粉末聚积过多时，会阻碍传输反应气体的速率,并且喷嘴的粉末过多时，容易落入晶圆表面，也就会影响晶圆的良率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种喷嘴装置以及干法刻蚀设备，能够减少颗粒物堆积，保证晶圆的良率。

2、本专利技术实施例第一方面提供一种喷嘴装置，应用于干法刻蚀设备，包括：上向下依次层叠的线圈装配、盖板、调整支架、以及，与所述盖板连接且延伸至外侧的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种喷嘴装置，其特征在于，应用于干法刻蚀设备，包括：由上向下依次层叠的线圈装配、盖板、调整支架、以及，与所述盖板连接且延伸至外侧的喷嘴管路；

2.如权利要求1所述的喷嘴装置，其特征在于，所述预设值为0.3μm。

3.如权利要求1所述的喷嘴装置，其特征在于，所述气体传输管设置有弯折部，所述弯折部的弯曲度为80°～85°，所述弯折部的半径为10～15cm。

4.如权利要求3所述的喷嘴装置，其特征在于，所述气体传输管还包括与所述弯折部相连的延伸部，所述延伸部长度为10～15cm。

5.如权利要求1所述的喷嘴装置，其特征在于，所述气体输入部与所...

【技术特征摘要】

1.一种喷嘴装置，其特征在于，应用于干法刻蚀设备，包括：由上向下依次层叠的线圈装配、盖板、调整支架、以及，与所述盖板连接且延伸至外侧的喷嘴管路；

2.如权利要求1所述的喷嘴装置，其特征在于，所述预设值为0.3μm。

3.如权利要求1所述的喷嘴装置，其特征在于，所述气体传输管设置有弯折部，所述弯折部的弯曲度为80°～85°，所述弯折部的半径为10～15cm。

4.如权利要求3所述的喷嘴装置，其特征在于，所述气体传输管还包括与所述弯折部相连的延伸部，所述延伸部长度为10～15cm。

5.如权利要求1所述的喷嘴装置，其特征在于，所述气体输入部与所述喷嘴之间的气体传输管为多个。

6.如权利要求1或者5所述的喷嘴装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪美军，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：