一种用于芯片切割后的边磨方法技术

本发明专利技术提供一种用于芯片切割后的边磨方法，所述边磨方法包括：采用化学机械研磨的方式对切割后芯片的侧面边缘进行研磨；其中，所述芯片在研磨过程中固定于环形夹具内，且所述环形夹具的中央设置有矩形镂空，用于固定待研磨芯片。本发明专利技术通过采用特定结构的环形夹具对切割后芯片进行固定，并对芯片的侧面边缘进行化学机械研磨，保证了芯片边缘的平整度和对齐度，提升了芯片的生产效率和质量，满足了市场对高精度、高质量芯片的需求，有利于大规模推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于芯片加工，涉及一种用于芯片切割后的边磨方法。

技术介绍

1、在半导体集成电路制造
，硅芯片、硅玻璃键合芯片或其他异质键合芯片是常见的半导体器件。在这些芯片的制造过程中，切割是一项关键的步骤，其目的是将大型晶圆分割成单个芯片。然而，切割操作往往会在芯片的边缘产生碎晶，且这些碎晶会在后续的封装过程中随机掉落，从而造成颗粒污染并导致进一步的芯片污染问题。

2、现有的芯片切割方法主要分为刀片切割和激光切割。其中，刀片切割的切割宽度较大，颗粒污染较多，这对于边缘清洁度要求高的芯片来说，无法满足其需求。激光切割虽然可以减小崩边，但在异质键合的芯片上进行激光切割时，需要挑选不同波长的激光进行分次切割，这会形成对准偏差，对于芯片边缘要求很高的产品来说，反而会带来更多的问题。

3、此外，上述两种切割方式都难以保证芯片边缘的平整度和对齐度，严重影响芯片的生产效率和质量，难以满足市场对高精度、高质量芯片的需求。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种用于芯片切割后的边磨方法，通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于芯片切割后的边磨方法，其特征在于，所述边磨方法包括：采用化学机械研磨的方式对切割后芯片的侧面边缘进行研磨；

2.根据权利要求1所述的边磨方法，其特征在于，所述芯片的切割方法包括刀片切割或激光切割。

3.根据权利要求1或2所述的边磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨包括依次进行的粗研磨和精研磨；

4.根据权利要求1-3任一项所述的边磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨采用的研磨液包括硅基研磨液；

5.根据权利要求1-4任一项所述的边磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨的研磨压力为2-4psi；

6.根据权利要求1-5任...

【技术特征摘要】

1.一种用于芯片切割后的边磨方法，其特征在于，所述边磨方法包括：采用化学机械研磨的方式对切割后芯片的侧面边缘进行研磨；

2.根据权利要求1所述的边磨方法，其特征在于，所述芯片的切割方法包括刀片切割或激光切割。

3.根据权利要求1或2所述的边磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨包括依次进行的粗研磨和精研磨；

4.根据权利要求1-3任一项所述的边磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨采用的研磨液包括硅基研磨液；

5.根据权利要求1-4任一项所述的边磨方法，其特征在于，所述化学机械研磨的研磨压力为2-4psi；

6.根据权利要求1-5任一项所述的边磨方法，其特征在于，所述环形夹具的材质包括聚醚醚酮；

7.根据权利要求1-6任一项所述的边磨...

【专利技术属性】
技术研发人员：张华，杨美辰，蔡秋娴，
申请(专利权)人：苏州矽劼微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：