光刻系统和光刻系统的制作方法技术方案

本发明专利技术提供一种光刻系统和光刻系统的制作方法，其中，光刻系统包括：发光结构；全息掩模板；聚焦透镜组，所述聚焦透镜组位于所述发光结构至所述全息掩模板的光路中；所述全息掩模板中包含全息图形，透过所述全息图形的曝光光束适于在所述聚焦透镜组的焦平面位置形成目标图形。所述光刻系统的结构简单。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光刻，具体涉及一种光刻系统和光刻系统的制作方法。

技术介绍

1、在集成电路加工领域，光刻机在其中起到至关重要的作用，光刻曝光方法在近年来经历了接触式光刻，接近式光刻，投影式光刻几个阶段的发展，其中投影式光刻曝光方法通过投影物镜将目标图形传递到晶圆上，在紫外波段由于材料所限，常用紫外物镜中可选择的材料主要有紫外熔融石英和氟化钙两种，其中氟化钙加工困难、价格高，由于材料限制，投影物镜在消色差方面能力较弱，传统的投影曝光光刻方法所能加工集成电路线程受到投影物镜的限制。现有技术为了避免常规投影式光刻对投影物镜的依赖，在光刻系统中设计了复杂的成像光学结构，尤其在193nm波段深紫外光可用光学材料单一，制作难度大，还会需要额外的投影物镜形成复杂光学系统。因此，需要提供一种光刻系统和光刻系统的制作方法。

技术实现思路

1、因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的光刻系统的结构复杂的缺陷，从而提供一种光刻系统和光刻系统的制作方法。

2、本专利技术提供一种光刻系统，包括：发光结构；全息掩模本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，位于所述发光结构至所述聚焦透镜组光路中的扩束准直单元；

3.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，所述准直单元的焦距比所述扩束单元的焦距大290mm－350mm；

4.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述聚焦透镜组包括自所述发光结构至所述全息掩模板的光路中间隔排布的第一子凸透镜至第N子凸透镜以及位于所述发光结构至所述第一子凸透镜光路中的第三凹透镜，N为等于或者大于2的整数；

5.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，还包括：反射镜，所述反射...

【技术特征摘要】

1.一种光刻系统，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，位于所述发光结构至所述聚焦透镜组光路中的扩束准直单元；

3.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，所述准直单元的焦距比所述扩束单元的焦距大290mm－350mm；

4.根据权利要求1所述的光刻系统，其特征在于，所述聚焦透镜组包括自所述发光结构至所述全息掩模板的光路中间隔排布的第一子凸透镜至第n子凸透镜以及位于所述发光结构至所述第一子凸透镜光路中的第三凹透镜，n为等于或者大于2的整数；

5.根据权利要求2所述的光刻系统，其特征在于，还包括：反射镜，所述反射镜适于将从所述扩束准直单...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦宏鹏，牛志元，丛敏，程智，谢稳，徐兴燃，盛乃援，傅俊隆，
申请(专利权)人：光科芯图北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：