【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种沟槽型器件的良率预测方法、装置及存储介质、设备。
技术介绍
1、在半导体领域，随着集成电路制程工艺技术的飞速发展，为了不断改善器件的性能，引入了新的先进工艺技术，使得每个工艺步骤都有其特定的把控要点和优化技术。为了确保集成电路的质量和性能，工程师们致力于将工艺制造流程中每道工艺都优化到最佳。
2、分离栅沟槽型器件是对传统的沟槽型器件的改进，分离栅沟槽型器件比传统的沟槽型器件的沟槽深度更深，这样，沟槽中除添加控制栅外，还可以添加屏蔽栅，屏蔽栅能够发挥屏蔽栅极与漂移区的作用，降低了米勒电容以及栅电荷，因此器件的开关速度更快、损耗低。
3、在实际生产制造过程中，分离栅沟槽型器件需要经历上百道工艺，由于每道工艺步骤均存在一定的误差，尽管每道工艺误差能够控制在极小的范围内，但是上百道工艺的误差累积会导致最终器件性能的损失，最终导致芯片良率下降。
4、然而，目前无法预测分离栅沟槽型器件的良率。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的问...
【技术保护点】
1.一种分离栅沟槽型器件的良率预测方法，所述分离栅沟槽型器件包括分离栅沟槽及栅极沟槽，所述分离栅沟槽用于形成屏蔽栅，所述栅极沟槽用于形成控制栅；其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，所述分离栅沟槽的平整度偏差值，为所分离栅沟槽侧壁及底部平整度测量偏差值的平均值。
3.如权利要求1所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，所述栅极沟槽的平整度偏差值，为所述栅极沟槽侧壁及底部平整度测量偏差值的平均值。
4.如权利要求1所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，所述支...
【技术特征摘要】
1.一种分离栅沟槽型器件的良率预测方法，所述分离栅沟槽型器件包括分离栅沟槽及栅极沟槽，所述分离栅沟槽用于形成屏蔽栅，所述栅极沟槽用于形成控制栅；其特征在于，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，所述分离栅沟槽的平整度偏差值，为所分离栅沟槽侧壁及底部平整度测量偏差值的平均值。
3.如权利要求1所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，所述栅极沟槽的平整度偏差值，为所述栅极沟槽侧壁及底部平整度测量偏差值的平均值。
4.如权利要求1所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，所述支持向量机模型是通过采集分离栅沟槽型器件的分离栅沟槽的平整度偏差值及栅极沟槽的平整度偏差值，对初始支持向量机模型训练得到的。
5.如权利要求1至4任一项所述的分离栅沟槽型器件的良率预测方法，其特征在于，还包括：
6.一种分离栅沟槽型器件的良率预测装置，所述分离栅沟槽型器...
【专利技术属性】
技术研发人员：耿明强，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。