Micro-LED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种Micro‑LED器件及其制备方法，该方法包括在衬底上依次形成层叠的N型层、第一发光结构和第一介质层；去除上述膜层的一部分，形成间隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介质层；去除至少部分第一介质层和部分第二介质层、露出第一发光结构并形成第一孔，并形成第一P电极；去除第一凹槽上的第二介质层，在第一凹槽槽底依次形成第二发光结构和第二P电极；去除第二凹槽上的第二介质层，并形成第三发光结构和第三P电极；去除第三凸起、第三凸起表面的第一介质层和第二介质层，露出N型层并N电极。采用该方案，保证色彩的纯净度和亮度均匀性，改善发光效率低下和颜色一致性差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种micro-led器件及其制备方法。

技术介绍

1、在半导体显示领域，micro-led(micro light emitting diode display，微发光二极管显示器)因其出色的亮度、色彩饱和度、高响应速度和能效比而受到广泛关注。尽管micro-led显示技术具有显著优势，但其商业化应用仍面临多个技术挑战，尤其是在rgb三色micro-led的集成方面。

2、传统的rgb三色micro-led的制备方式依赖于单独生长三种不同颜色的led，随后通过复杂的巨量转移技术将它们转移到同一目标衬底上。这种方法不仅技术复杂度高，而且容易引起设备对位精度问题，增加生产成本，且易造成led损伤，从而影响产率和显示质量。

3、目前，为了解决这些问题，业内研究了在同一衬底上直接生长不同颜色的micro-led的技术，但仍面临多种挑战。首先，不同颜色micro-led的生长条件差异较大，如ingan/gan量子阱结构对生长温度和组分比例的要求各异，这对mocvd(metal-organic chemica本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro-LED器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二发光结构包括层叠设置的第二多量子阱层(41)与第二P型层(42)，在所述第一凹槽(11)的槽底依次形成第二发光结构和第二P电极(43)包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述第二发光结构还包括第二修复层(44)，所述方法还包括：

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：所述方法还包括：

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二多量子阱层(41)包括至少一个层叠设置的第二多量子阱结构，所...

【技术特征摘要】

1.一种micro-led器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二发光结构包括层叠设置的第二多量子阱层(41)与第二p型层(42)，在所述第一凹槽(11)的槽底依次形成第二发光结构和第二p电极(43)包括：

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述第二发光结构还包括第二修复层(44)，所述方法还包括：

4.根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于：所述方法还包括：

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第二多量子阱层(41)包括至少一个层叠设置的第二多量子阱结构，所述第二多量子阱结构包括层叠设置的第二ingan层与第二gan层，生长所述第二多量子阱结构包括：

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一发光结构包括层叠设置的第一多量子阱层(31)与第一p型层(32)，形成所述第一发光结构包括：

7.一种micro-led器件，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的micr...

【专利技术属性】
技术研发人员：王阳，
申请(专利权)人：江苏第三代半导体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：