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本发明公开一种Micro‑LED器件及其制备方法，该方法包括在衬底上依次形成层叠的N型层、第一发光结构和第一介质层；去除上述膜层的一部分，形成间隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介质层；去...
该专利属于江苏第三代半导体研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏第三代半导体研究院有限公司授权不得商用。

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