沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法，所述沟槽型栅极结构的制备方法包括：提供衬底，其上具有栅极沟槽；形成第一介质层覆盖衬底的表面及栅极沟槽的内壁，且第一介质层在栅极沟槽底部的最小厚度大于或等于预设厚度；形成第二介质层覆盖衬底表面及栅极结构内的第一介质层的表面，第二介质层包括掺杂的第一介质层，并执行高温回流工艺，使第二介质层填充栅极沟槽；执行干法刻蚀工艺，去除第二介质层及部分厚度的第一介质层暴露栅极沟槽的侧壁，并在栅极沟槽底部保留预设厚度的第一介质层；在栅极沟槽内的第一介质层上形成栅极结构。本发明专利技术用于高效且简便地提升沟槽型栅极结构的开关性能及可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法。

技术介绍

1、相对于平面型mosfet功率器件，沟槽型mosfet功率器件由于具有较低的导通电阻、较快的开关速度和良好的抗雪崩冲击能力等，具有很广泛的应用。

2、随着，器件尺寸的不断缩小，沟槽型mosfet功率器件也通过高密度实现更低的导通电阻，但却会随之带来更大的栅极电荷(qg)，影响器件的开关性能及可靠性。在一相关技术中，通常采用在栅极沟槽的底部引入厚的介质层作为底部介质层，以实现器件最优的fom值(figure of merit,即优势参数)。

3、在另一相关技术中，在沟槽内填充介质层时，由于沟槽的深宽比较大使得介质层容易在沟槽开口处闭合(收口)而导致沟槽中的介质层存在空洞，进而使得所形成的底部介质层的厚度不均(其表面形貌较差)，因此，通常需要多次(例如4～6次)形成介质层填充沟槽及刻蚀沟槽内部分厚度的介质层以打开其开口的循环过程，以在沟槽内形成具有较佳形貌(较均匀厚度)的底部介质层。但从上述方法可知，其不仅步骤繁琐、费时费力，严重影响成本及良率本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽的深宽比大于或等于3:1。

3.根据权利要求1所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氧化硅。

4.根据权利要求3所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层采用HDP-CVD工艺形成。

5.根据权利要求4所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，在一次所述HDP-CVD工艺中形成所述第一介质层。

6.根据权利要求3所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，...

【技术特征摘要】

1.一种沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述栅极沟槽的深宽比大于或等于3:1。

3.根据权利要求1所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的材质包括氧化硅。

4.根据权利要求3所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层采用hdp-cvd工艺形成。

5.根据权利要求4所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，在一次所述hdp-cvd工艺中形成所述第一介质层。

6.根据权利要求3所述的沟槽型栅极结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层的材质包括掺硼和磷的氧化硅。

7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗旭，袁家贵，李翠平，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：