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本发明提供了一种沟槽型栅极结构的制备方法及功率器件的制造方法，所述沟槽型栅极结构的制备方法包括：提供衬底，其上具有栅极沟槽；形成第一介质层覆盖衬底的表面及栅极沟槽的内壁，且第一介质层在栅极沟槽底部的最小厚度大于或等于预设厚度；形成第二介质层...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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