平板探测器及其制备方法、检测装置制造方法及图纸

技术编号:43144715 阅读:31 留言:0更新日期:2024-10-29 17:46
本申请实施例提供一种平板探测器及其制备方法、检测装置,平板探测器包括衬底基板和多个像素单元,多个像素单元阵列排布于衬底基板,每个像素单元包括:电极层、薄膜晶体管以及光电转换层。薄膜晶体管设置在衬底基板的表面上,包括源极和漏极;电极层设置在薄膜晶体管背离衬底基板的一侧;光电转换层设置在电极层背离薄膜晶体管的一侧,光电转换层与电极层电连接;其中,任一像素单元的电极层与相邻的像素单元的源极电连接,本申请能够避免同一像素内的薄膜晶体管和光电转换层同时通电工作,由此,薄膜晶体管和光电转换层之间产生的寄生电容将会大大减少,从而降低平板探测器的检测信号噪声,从而使的平板探测器的信噪比较高,检测效果较好。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光电转换,尤其涉及一种平板探测器及其制备方法、检测装置


技术介绍

1、基于薄膜晶体管(thin film transistor,tft)技术制作的平板探测器是数字影像技术中至关重要的元件,由于其具有成像速度快,良好的空间及密度分辨率、高信噪比、直接数字输出等优点,广泛应用于医学影像(如x光胸透)、工业检测(如金属探伤)、安保检测、航空运输等领域。

2、相关技术中,板探测器的同一个像素内的薄膜晶体管设置在光电转换层的下方,使同一个像素内的薄膜晶体管和光电转换层具有较大的交叠面积,导致在该像素打开时光电转换层和薄膜晶体管之间产生寄生电容,进而造成平板探测器的检测信号噪声较大,信噪比低的情况。


技术实现思路

1、本申请实施例提供一种平板探测器及其制备方法、检测装置,以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。

2、作为本申请实施例的一个方面,本申请实施例提供一种平板探测器,其包括衬底基板和多个像素单元,多个像素单元阵列排布于衬底基板,每个像素单元包括:>

3、薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种平板探测器,其特征在于,包括衬底基板和多个像素单元,多个所述像素单元阵列排布于所述衬底基板,每个所述像素单元包括:

2.根据权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,相邻两个所述像素单元的光电转换层之间具有间隙,所述间隙在所述衬底基板上的正投影为第一投影区域,其中一个所述像素单元的电极层在衬底基板上的正投影为第二投影区域,另一个所述像素单元的源极在所述衬底基板上的正投影为第三投影区域;其中,所述第一投影区域、所述第二投影区域以及所述第三投影区域中的任意两个的至少部分重叠。

3.根据权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述像素单元还包括第一钝化层,所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种平板探测器,其特征在于,包括衬底基板和多个像素单元,多个所述像素单元阵列排布于所述衬底基板,每个所述像素单元包括:

2.根据权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,相邻两个所述像素单元的光电转换层之间具有间隙,所述间隙在所述衬底基板上的正投影为第一投影区域,其中一个所述像素单元的电极层在衬底基板上的正投影为第二投影区域,另一个所述像素单元的源极在所述衬底基板上的正投影为第三投影区域;其中,所述第一投影区域、所述第二投影区域以及所述第三投影区域中的任意两个的至少部分重叠。

3.根据权利要求1所述的平板探测器,其特征在于,所述像素单元还包括第一钝化层,所述第一钝化层设置在所述薄膜晶体管背离所述衬底基板的一侧,所述第一钝化层设置有贯穿的第一通孔,所述第一通孔暴露出所述源极的部分表面;其中,所述任一像素单元的电极层通过所述相邻的像素单元的第一通孔与所述相邻的像素单元的源极电连接。

4.根据权利要求3所述的平板探测器,其特征在于,所述像素单元还包括第一平坦化层,所述第一平坦化层设置在所述第一钝化层背离所述衬底基板的一侧,所述第一平坦化层设置有贯穿的第二通孔,所述第二通孔在所述衬底基板上的正投影位于所述第一通孔在所述衬底基板上的正投影的范围内;其中,所述任一像素单元的电极层通过所述相邻的像素单元的第一通孔和第二通孔与所述相邻的像素单元的源极电连接。

5.根据权利要求4所述的平板探测器,其特征在于,所述像素单元还包括第二钝化层,所述第二钝化层设置在所述电极层和所述第一平坦化层之间,所述第二钝化层上具有第三通孔,所述第三通孔在所述衬底基板上的正投...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴申康杨洋王震刘琨田露张宇航赵明佳马健张锦涛于海博
申请(专利权)人:北京京东方光电科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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