钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜及其制备方法和用途技术

本发明专利技术公开了钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜及其制备方法和用途。该钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜包括：xMn‑(1‑y)Bi(Mg<subgt;0.5</subgt;Ti<subgt;0.5</subgt;)O<subgt;3</subgt;‑ySr<subgt;1‑1.5a</subgt;Bi<subgt;a</subgt;TiO<subgt;3</subgt;‑bTiO<subgt;2</subgt;，且0≤x≤0.05，0＜y≤0.5，0≤a≤0.5，0≤b≤0.5。该钛酸镁铋‑钛酸锶基储能薄膜不仅组成简单，而且将其用于电介质电容器中还能实现击穿场强和极化强度差值的同时提升，从而带来储能密度和效率的显著提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于介电材料领域，具体而言，涉及钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜及其制备方法和用途。

技术介绍

1、在现代电子设备中，电介质电容器作为关键的无源储能元件，凭借其快速充放电速度和极高的功率密度，并可以实现隔直通交、耦合、旁路、滤波、调谐回路和能量转换等多种功能，因此在电子电路中被广泛采用。然而，与电化学电容器或电池相比，电介质电容器的能量密度通常低一个到两个数量级，这限制了它们在小型化和储能设备集成方面的潜力。因此，寻找具有高储能密度的电介质材料一直是该领域的重要研究方向和难题。

2、陶瓷薄膜电介质因其高介电常数和高击穿场强，被认为是最有希望实现高储能密度的电介质材料体系。同时，由于其体积小、机械性能优良、耐高温等优点，有望在器件小型化、集成化以及极端条件下得到应用。介电电容器的储能密度主要由施加的电场和电介质的极化程度决定，提高体系的极化强度差值(pm-pr)以及增强击穿场强(eb)是提高介电材料储能密度的两个关键途径。然而，这两者往往难以同时实现，因为介电常数和击穿场强之间通常存在一定的耦合关系。因此，开发具有高介电常数、高击穿场强和高储本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，0＜x≤0.05，所述Mn固溶在Bi(Mg0.5Ti0.5)O3和/或Sr1-1.5aBiaTiO3的晶格中；和/或，

3.根据权利要求1或2所述的钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，所述储能薄膜满足以下条件中的至少之一：0＜a≤0.5、0＜b≤0.5、所述储能薄膜的厚度为100nm～600nm。

4.根据权利要求1或2所述的钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，所述储能薄膜的厚度为280nm～580nm。</p>

5.一种...

【技术特征摘要】

1.一种钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，0＜x≤0.05，所述mn固溶在bi(mg0.5ti0.5)o3和/或sr1-1.5abiatio3的晶格中；和/或，

3.根据权利要求1或2所述的钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，所述储能薄膜满足以下条件中的至少之一：0＜a≤0.5、0＜b≤0.5、所述储能薄膜的厚度为100nm～600nm。

4.根据权利要求1或2所述的钛酸镁铋-钛酸锶基储能薄膜，其特征在于，所述储能薄膜的厚度为280nm～580nm。

5.一种制备权利要求1～4中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敬锋，舒亮，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：