【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体技术，尤其涉及半导体结构的主动区及其制造方法
技术介绍
1、随着存储器元件的关键尺寸逐渐缩小，光刻及刻蚀制造工艺变得越来越困难。例如，为了在半导体基板中定义出多个主动区，对半导体基板进行光刻及刻蚀制造工艺，以一次地形成多个高深宽比的隔离结构沟槽。然而，在掩膜图案相对拥挤及掩膜图案相对空旷的区域的刻蚀速率差异会导致刻蚀负载效应，这将导致主动区的局部具有渐缩剖面，并损害主动区的线宽大小。如此一来，后续形成的储存节点接触结构与位线接触结构之间容易发生短路，进而影响存储器装置的电性表现。
2、因此，业界仍需要改善存储器装置的制造方法，来改善存储器装置的良率。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供了改善储存节点接触结构与位线接触结构之间的短路问题的解决方案，从而改善存储器装置的电性表现。
2、本专利技术实施例提供了一种半导体结构的制造方法，包含对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽；顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面；以及沿着第一沟槽对基板执行第...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀制造工艺形成多个第一主动区于所述基板中，所述第一主动区各自包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述上部的底宽大于所述下部的顶宽，且所述第一主动区具有一锤状的剖面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一主动区的所述下部的宽度由下往上渐缩。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二刻蚀制造工艺形成多个第一主动区于所述基板中，所述第一主动区各自包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述上部的底宽大于所述下部的顶宽，且所述第一主动区具有一锤状的剖面。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一主动区的所述下部的宽度由下往上渐缩。
5.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽的深度小于或等于所述第三沟槽的深度。
7.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二主动区的宽度由下往上渐缩。
8.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，还包括：
9.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述顺应层更覆盖所述图案化掩膜的顶表面与侧壁。
10.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，通过原子层沉积制造工艺来形成所述顺应层，且所述顺应层的材料包括氧化硅。
11.根据权利要求1所述的半导体结...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱玄通，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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