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半导体结构及其制造方法技术
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文档序号:43134628
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本发明提供一种半导体结构及其制造方法,该制造方法包含对基板执行第一刻蚀制造工艺以形成第一沟槽,以及顺应性地形成顺应层于第一沟槽的表面。方法还包含沿着第一沟槽对基板执行第二刻蚀制造工艺,以形成第二沟槽于第一沟槽下方,其中在第二刻蚀制造工艺中,...
该专利属于华邦电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过华邦电子股份有限公司授权不得商用。
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