【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及安装led芯片的,尤其是涉及一种垂直强发光led芯片的安装方法与构造。
技术介绍
1、led芯片是照明装置的关键组件。随着照明强度越高与产品微小化的需求,led芯片在载板单位面积内的发热量也越来越高。基于芯片的电极位置配置,led芯片的安装技术目前有两种,一种是比较传统正面发光以打线连接的led芯片安装;另一种是覆晶接合方式翻转芯片的芯片安装,用于覆晶接合的led芯片需要更大幅度的改变芯片结构,让芯片的多个电极都位于芯片背面,故涉及了芯片结构的重新设计。覆晶接合方式的led芯片安装还需要更高的接合精度,以避免芯片电极与载板之间的安装位移导致的芯片安装时电性短路,并在安装构造的尺寸缩小化与发光强度增加的趋势下led芯片更容易发热,导致使用时底层銲料溢流变得更严重,进而导致产生了使用上电性短路问题。另外,传统正面发光的led芯片安装的生产设备难以要改装成覆晶接合方式的led芯片安装。
2、传统正面发光的led芯片安装技术中,芯片背面的电极是由底层銲料与载板銲接连接,芯片正面的电极是以打线方式形成的金属线与载板的外围
...【技术保护点】
1.一种垂直强发光LED芯片的安装方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的垂直强发光LED芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝阻隔所述底銲料与所述面銲料的最小距离为所述坝高度减去所述第一芯片接合高度的垂直向差值,大于所述底电极的厚度。
3.根据权利要求2所述的垂直强发光LED芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝阻隔所述底銲料与所述面銲料的最小距离介于所述LED芯片的1/4至1倍厚度。
4.根据权利要求1所述的垂直强发光LED芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝还覆盖于所述散热基岛朝向所述电源基岛的边缘;优选的,所述阻
...【技术特征摘要】
1.一种垂直强发光led芯片的安装方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的垂直强发光led芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝阻隔所述底銲料与所述面銲料的最小距离为所述坝高度减去所述第一芯片接合高度的垂直向差值,大于所述底电极的厚度。
3.根据权利要求2所述的垂直强发光led芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝阻隔所述底銲料与所述面銲料的最小距离介于所述led芯片的1/4至1倍厚度。
4.根据权利要求1所述的垂直强发光led芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝还覆盖于所述散热基岛朝向所述电源基岛的边缘;优选的,所述阻焊坝填充于所述散热基岛与所述电源基岛之间的空隙。
5.根据权利要求1所述的垂直强发光led芯片的安装方法,其特征在于,所述阻焊坝印刷形成为具有长度端的第一图案,所述面銲料印刷形成为与所述第一图案交错重叠的第二图案,所述第二图案覆盖所述第一图案的宽度向部位,以使所述面銲料延伸到所述电源基岛上,所述第二图案显露出所述第一图案的两长度端,以维持所述阻焊坝对所述面銲料与所述底銲料的阻隔;具体的,所述阻焊坝在所述载板的覆盖面积小于等于10%。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的垂直强发光led芯片的安装方法,其特征在于,还包括:s...
【专利技术属性】
技术研发人员:周万鹏,周子茗,韩小红,
申请(专利权)人:深圳市泰润光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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