【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的领域涉及用于从绝缘体上硅(soi)结构移除氧化物及用于清洁此结构的方法。
技术介绍
1、例如绝缘体上硅结构(“soi”结构)的半导体结构可在下游处理之前经历退火。此退火可导致在soi结构的表面上形成氧化物(sio2)。此氧化物通常从所述结构的顶表面移除。在移除所述氧化物之后清洁所述结构时，绝缘体上硅结构的表面上的一些区域形成晶片表面的凸起凸部或“凸块”。例如通过增加剥除工艺的时间来移除所述凸部的先前尝试未成功地消除所述凸部的形成。
2、存在对减少或消除来自soi结构的表面的凸起凸部的用于移除soi结构顶表面上的氧化物及用于清洁所述结构的方法的需要。
3、本节希望向读者介绍可能与下文描述及/或主张的本公开的各个方面相关的各个技术方面。此论述被认为有助于向读者提供背景信息以促进更好地理解本公开的各个方面。据此，应理解，这些陈述应从此角度来解读，而不是作为对现有技术的承认。
技术实现思路
1、本公开的一个方面涉及一种用于剥除及清洁绝缘体上硅结构的表面的方法。所述绝...
【技术保护点】
1.一种用于剥除及清洁绝缘体上硅结构的表面的方法，所述绝缘体上硅结构包括处置结构、硅顶层及安置于所述处置结构与所述硅顶层之间的介电层，所述绝缘体上硅结构在所述绝缘体上硅结构的顶表面上具有氧化物膜，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述经SC-1处理的绝缘体上硅结构浸入包括盐酸的SC-2浴中以形成经SC-2处理的绝缘体上硅结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其包括在将所述经SC-1处理的绝缘体上硅结构浸入所述SC-2浴之前用水冲洗所述经SC-1处理的绝缘体上硅结构。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于剥除及清洁绝缘体上硅结构的表面的方法，所述绝缘体上硅结构包括处置结构、硅顶层及安置于所述处置结构与所述硅顶层之间的介电层，所述绝缘体上硅结构在所述绝缘体上硅结构的顶表面上具有氧化物膜，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述经sc-1处理的绝缘体上硅结构浸入包括盐酸的sc-2浴中以形成经sc-2处理的绝缘体上硅结构。
3.根据权利要求2所述的方法，其包括在将所述经sc-1处理的绝缘体上硅结构浸入所述sc-2浴之前用水冲洗所述经sc-1处理的绝缘体上硅结构。
4.根据权利要求2或权利要求3所述的方法，其包括通过将所述经sc-2处理的绝缘体上硅结构与异丙醇蒸汽接触来干燥所述经sc-2处理的绝缘体上硅结构。
5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括在干燥所述经sc-2处理的绝缘体上硅结构之前用水冲洗所述经sc-2处理的绝缘体上硅结构。
6.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘庆旻，梁海河，杨钧婷，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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