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公开用于移除氧化物膜及用于清洁绝缘体上硅结构的方法。所述方法可涉及将所述绝缘体上硅结构浸入剥除浴中以从所述绝缘体上硅结构的表面剥除氧化物膜。将所述经剥除的绝缘体上硅结构浸入包括臭氧的臭氧浴中。可将所述经臭氧处理的绝缘体上硅结构浸入包括氢氧化...
该专利属于环球晶圆股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过环球晶圆股份有限公司授权不得商用。

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