一种碳化硅晶体生长装置制造方法及图纸

本技术公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚内部设置有加厚段，坩埚的中部均设置有中间凸起部，中间凸起部的底部向上开设有加热槽，坩埚的外侧设置有保温桶，保温桶的外侧设置有防护外壳，保温桶和坩埚之间设置有加热腔，加热腔的底部配合加热槽设置有底部加热器，且配合坩埚设置有升降支撑结构，加热腔的侧边设置有感应加热管，感应加热管的盘绕口径由上到下逐渐减小，坩埚的顶部设置有开口，开口处可升降设置有籽晶杆，籽晶杆的底部设置有籽晶体，本技术可以实现坩埚加热温度的调节，同时可以提高碳源的供给均匀性，同时可以避免坩埚被蚀穿的情况。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及碳化硅晶体制备，更具体的说，它涉及一种碳化硅晶体生长装置。

技术介绍

1、液相法是制备碳化硅晶体的主要途径之一。在液相法制备碳化硅晶体的过程中，晶体生长炉的生长腔包括坩埚、溶液、籽晶轴、籽晶和加热结构等，坩埚为高纯石墨坩埚，高纯多晶硅原料至于石墨坩埚内，通过感应加热把坩埚中的高纯多晶硅熔化，形成熔融的硅，熔融状态的硅会对石墨坩埚进行腐蚀，通过石墨坩埚向熔融的硅中提供碳源，进而形成si-c体系的溶液；

2、籽晶粘贴在籽晶杆上，生长时浸入溶液的过饱和区中进行生长得到碳化硅晶体，但是，高温的生长原料溶液在长时间制备碳化硅的过程中可能会熔穿坩埚，导致设备损毁。

3、且在通过石墨坩埚向熔融的硅中提供碳源的过程中，其主要是外围的熔融状态的硅与石墨坩埚提供的碳源接触，碳源与熔融状态的硅的接触均匀性差，导致碳化硅晶体的生长均匀性差。

4、另外，现有的碳化硅晶体生长装置中的加热结构通常为整体结构，其加热元器件与坩埚之间的距离固定，从而导致产生在坩埚轴向上温度梯度固定的热场，无法灵活调节坩埚轴向上特定位置的温度，难以满足个性化的结本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚（1），其特征是：所述坩埚（1）内部设置有加厚段（2），所述坩埚（1）的中部均设置有中间凸起部（3），所述中间凸起部（3）的底部向上开设有加热槽（4），所述坩埚（1）的外侧设置有保温桶（5），所述保温桶（5）的外侧设置有防护外壳（6），所述保温桶（5）和坩埚（1）之间设置有加热腔（7），所述加热腔（7）的底部配合加热槽（4）设置有底部加热器（8），且配合坩埚（1）设置有升降支撑结构，所述加热腔（7）的侧边设置有感应加热管（9），所述感应加热管（9）的盘绕口径由上到下逐渐减小，所述坩埚（1）的顶部设置有开口（10），所述开口（10）处可升降设置有籽晶杆（...

【技术特征摘要】

1.一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚（1），其特征是：所述坩埚（1）内部设置有加厚段（2），所述坩埚（1）的中部均设置有中间凸起部（3），所述中间凸起部（3）的底部向上开设有加热槽（4），所述坩埚（1）的外侧设置有保温桶（5），所述保温桶（5）的外侧设置有防护外壳（6），所述保温桶（5）和坩埚（1）之间设置有加热腔（7），所述加热腔（7）的底部配合加热槽（4）设置有底部加热器（8），且配合坩埚（1）设置有升降支撑结构，所述加热腔（7）的侧边设置有感应加热管（9），所述感应加热管（9）的盘绕口径由上到下逐渐减小，所述坩埚（1）的顶部设置有开口（10），所述开口（10）处可升降设置有籽晶杆（11），所述籽晶杆（11）的底部设置有籽晶体（12）。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长装置，其特征是：所述升降支撑结构包括设置在坩埚（1）底部的支撑架（13），所述支撑架（13）的底端连接加热腔（7）的底壁设置有第二电动推杆（14）。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长装置，其特征是：所述保温桶（5）包括相互配合的桶内壳（15）和桶外壳（16），所述桶内壳（15）和桶外壳（16）之间设置有保温层（17）。

4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：许莉萍，宋颜朝，周虎，
申请(专利权)人：幂指科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：