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本技术公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括坩埚，坩埚内部设置有加厚段，坩埚的中部均设置有中间凸起部，中间凸起部的底部向上开设有加热槽，坩埚的外侧设置有保温桶，保温桶的外侧设置有防护外壳，保温桶和坩埚之间设置有加热腔，加热腔的底部配合加热槽设置...
该专利属于幂指科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过幂指科技（北京）有限公司授权不得商用。

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