一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种二维平面垂直构型SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结的制备方法，利用单一分子束蒸发源直接加热SnS粉末，在超高真空环境中，直接将SnS分子沉积在Au衬底之上，利用SnS分子与Au衬底的相互作用，一步法直接制备二维平面垂直构型SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结，本技术采用超高真空分子束外延法将SnS分子沉积在Au衬底上，SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结的生长环境干净且无杂质来源，所制备的SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结纯度高，且生长机理简单。本发明专利技术所公开的一种二维平面垂直构型SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结的制备方法，所制备的SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结为二维平面垂直构型SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结，不同于一步溶剂热法及一步相控合成所制备的纳米晶构型的SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结，同时，超高真空分子束外延法还可以对二维平面垂直构型SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结的形貌、层数及厚度进行精确控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及异质结，特别涉及一种二维平面垂直构型sns/sns2异质结的制备方法。

技术介绍

1、近年来，二维层状铁电薄膜因其固有的铁电极化特性以及在传感器、晶体管、忆阻器等方面的潜在应用而引起了广泛的研究关注。其中，第iv族单硫属化合物（sns、ges、snse和snse）作为新的铁电家族材料更是取得了广泛的关注，第iv族单硫属化合物具有新颖的晶格结构、光学和电子特性及与黑磷相似的原子结构。尽管许多理论计算预测其是潜在的二维铁电材料，但由于层间相互作用强和剥离能相对高于其他二维材料，制备单层或多层薄膜及其异质结结构仍具有一定难度。

2、目前关于sns/sns2异质结的制备方法主要有：一步溶剂热法和一步相控合成sns/sns2异质结纳米晶，其中，公开号为cn106006720a的专利：一种制备sns/sns2异质结材料的方法及应用，公开了一种采用溶剂热法制备sns/sns2异质结材料的方法，该方法利用sncl2·2h2o和sncl4·5h2o为锡源，并配合硫源、表面活性剂，通过化学反应和控制sn2+与sn4+的原料比，以达到控制产物中sns与本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，其特征在于，步骤S1中，所述第一预设温度为300-600℃。

3.根据权利要求1所述一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，其特征在于，步骤S2之前还包括：依次使用溶剂、去离子水清洗Au衬底。

4.根据权利要求3所述一种二维平面垂直构型SnS/SnS2异质结的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括：盐酸、硫酸、丙酮、酒精中的一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述一种二维平面垂直...

【技术特征摘要】

1.一种二维平面垂直构型sns/sns2异质结的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述一种二维平面垂直构型sns/sns2异质结的制备方法，其特征在于，步骤s1中，所述第一预设温度为300-600℃。

3.根据权利要求1所述一种二维平面垂直构型sns/sns2异质结的制备方法，其特征在于，步骤s2之前还包括：依次使用溶剂、去离子水清洗au衬底。

4.根据权利要求3所述一种二维平面垂直构型sns/sns2异质结的制备方法，其特征在于，所述溶剂包括：盐酸、硫酸、丙酮、酒精中的一种或多种组合。

5.根据权利要求1所述一种二维平面垂直构型sns/sns2异质结的制备方法，其特征在于，步骤s2中，第一预设条件包括：加热温度为200℃、真空度为1×10-9mbar。

6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱孟龙，陈智慧，
申请(专利权)人：湖南工商大学，
类型：发明
国别省市：