籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法技术

技术编号：43111296 阅读：22 留言：0更新日期：2024-10-26 09:51

提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。籽晶组件包括锑化铟籽晶和夹头，锑化铟籽晶为横截面沿长度恒定的梯形，梯形的顶边长度为底边长度的1/2，梯形的高度与底边的长度相同，锑化铟籽晶的籽晶方向是<211>，其中，用于在提拉法生长锑化铟晶体接触熔体的是<211>B，锑化铟籽晶的横截面的梯形的顶边方向是<111>A，锑化铟籽晶的横截面的梯形的底边方向是<111>B；夹头包括第一夹体和第二夹体，第一夹体具有收容槽，收容槽为横截面沿长度恒定的与锑化铟籽晶的横截面相同的在底边开口的梯形，第二夹体具有配合平面，配合平面封闭收容槽的梯形的开口的底边，第一夹体的材料的导热率低于第二夹体。锑化铟晶体生长的方法采用前述的籽晶组件提拉法生长锑化铟晶体。

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【技术实现步骤摘要】

本公开涉及晶体生长领域，更具体地涉及一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法。

技术介绍

1、锑化铟(insb)是一种窄禁带ⅲ-ⅴ族半导体材料，77k时禁带宽度为0.232ev，在3-5μm波段是本征吸收，拥有极高的电子迁移率，目前是中波红外探测器的最佳材料之一。锑化铟的熔点为525℃，与其它ⅲ-ⅴ族化合物相比，它易于提纯和生长单晶，因而它常是ⅲ-ⅴ族化合物固体理论研究时所选择的对象。

2、锑化铟的晶体生长方法多为提拉法。作为闪锌矿结构，最优的晶体生长方向为<111>方向。但晶体生长沿<111>方向生长有明显的小面效应，使径向载流子分布很不均匀，无法满足焦平面器件的需要。沿<211>晶向生长可减弱这一效应，但会严重减小晶体的利用率，同时带来较为严重的位错问题。

技术实现思路

1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本公开的一目的在于提供一种籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法，其有利于抑制小面效应，提高提拉法生长出的锑化铟晶体的载流子浓度的均匀性。