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本发明公开了一种二维平面垂直构型SnS/SnS<subgt;2</subgt;异质结的制备方法，利用单一分子束蒸发源直接加热SnS粉末，在超高真空环境中，直接将SnS分子沉积在Au衬底之上，利用SnS分子与Au衬底的相互作用，一...
该专利属于湖南工商大学所有，仅供学习研究参考，未经过湖南工商大学授权不得商用。

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