半导体结构及半导体结构的制造方法技术

本申请提供一种半导体结构及半导体结构的制造方法。所述半导体结构包括第一待封装结构、第二待封装结构、第一塑封层、第二塑封层和再布线层。第一待封装结构包括第一芯片，第一芯片的芯片正面设有多个焊垫。第二待封装结构至少包括一个电气元件。第一芯片与电气元件并列设置；第二待封装结构的厚度大于第一待封装结构的厚度。第一塑封层至少位于第一待封装结构背离芯片正面的表面及第二待封装结构背离芯片正面的表面。第二塑封层位于所述第一塑封层背离所述芯片正面的一侧；第二塑封层的杨氏模量大于第一塑封层的杨氏模量。再布线层位于第一待封装结构及第二待封装结构背离第二塑封层的表面，焊垫通过再布线层与电气元件电连接。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别涉及一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

技术介绍

1、常见的半导体封装技术中，比如将芯片和电气元件进行封装的技术，可包括如下步骤：先将芯片和电气元件并列贴装在载板上，芯片的正面朝向载板，之后形成塑封层，塑封层包封芯片背面及电气元件背离载板的一侧，之后将载板剥离，在芯片正面形成与芯片正面的焊垫及电气元件电连接的再布线层。

2、电气元件的厚度大于芯片的厚度时，上述封装技术会使得半导体产品中塑封层位于芯片背面的部分厚度较大，而芯片与塑封层的热膨胀系数差异较大，半导体产品的温度发生改变时，容易出现芯片与塑封层发生分层的情况，影响半导体产品的可靠性。

技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种半导体结构及半导体结构的制造方法。

2、本申请实施例的第一方面提供了一种半导体结构。所述半导体结构包括：

3、第一待封装结构及第二待封装结构；所述第一待封装结构包括第一芯片，所述第一芯片包括芯片正面，所述芯片正面设有多个焊垫；所述第二待封装结构至少包括一个电气元件；所述第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包括与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面；所述第一待封装结构还包括第三塑封层，所述第三塑封层包封所述芯片侧面及所述芯片背面；所述第三塑封层的杨氏模量大于所述第一塑封层的杨氏模量；和/或，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二待封装结构位于所述第一待封装结构的侧部，所述第一待封装结构与相邻的所述第二待封装结构之间存在间隙，所述第一待封装结构与相邻的所述第二待封装结构之间的间隙的尺寸范围为0.0...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包括与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面；所述第一待封装结构还包括第三塑封层，所述第三塑封层包封所述芯片侧面及所述芯片背面；所述第三塑封层的杨氏模量大于所述第一塑封层的杨氏模量；和/或，

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二待封装结构位于所述第一待封装结构的侧部，所述第一待封装结构与相邻的所述第二待封装结构之间存在间隙，所述第一待封装结构与相邻的所述第二待封装结构之间的间隙的尺寸范围为0.05mm～0.1mm；

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包括与所述芯片正面相对的芯片背面、及连接所述芯片正面与所述芯片背面的多个芯片侧面；所述第一待封装结构还包括第三塑封层，所述第三塑封层包封所述芯片侧面及所述芯片背面；所述第三塑封层设有通槽，所述第二待封装结构位于所述通槽内；所述第二待封装结构所在的通槽的内表面与所述第二待封装结构之间存在间隙，所述通槽的内表面与所述第二待封装结构之间的间隙的尺寸范围为0.05mm～0.1mm；

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一塑封层的杨氏模量的范围为2gpa～12gpa；和/或，所述第一塑封层的厚度范围为50μm～200μm；和/或，

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一芯片还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫璐，兰月，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：