【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、在集成电路和其它电子装置的制造中，将多个导电、半导电和介电材料的层沉积于衬底表面上或从衬底表面去除。随着将材料层依序沉积于衬底上和从衬底去除，衬底的最上部表面可能变得不平坦且需要平坦化。将表面平坦化或“抛光”表面是将材料从衬底表面去除以形成大体上均匀、平坦表面的过程。平坦化适用于去除不合需要的表面构形和表面缺陷，诸如粗糙表面、聚结材料、晶格损坏、刮痕和被污染的层或材料。平坦化也适用于通过去除过量的沉积材料而在衬底上形成特征，所述沉积材料用于填充特征和提供均匀表面以用于后续金属化和处理阶段。
2、所属领域中已众所周知用于平坦化或抛光衬底的表面的组合物和方法。化学机械平坦化或化学机械抛光(cmp)是用于平坦化衬底的常见技术。cmp利用称为cmp组合物或更简单地称为抛光组合物(也称为抛光浆料)的化学组合物从衬底选择性地去除材料。通常通过使衬底的表面与饱含抛光组合物的抛光垫(例如，抛光布或抛光盘)接触而将抛光组合物施用于衬底。通常通过抛光组合物的化学活性和/或悬浮于抛光组合物中或并入抛光垫(例如，固定的磨料抛光垫)中...
【技术保护点】
1.一种化学机械抛光组合物，其包含：
2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物包含约0.001wt％至约10wt％的所述氧化铈磨粒。
3.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有约7至约8的pH值。
4.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含选自以下的非离子性聚合物：聚亚烷二醇、聚醚胺、聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、硅氧烷聚氧化烯共聚物、疏水性改性的聚丙烯酸酯共聚物、亲水性非离子性聚合物、多糖和其组合。
5.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种化学机械抛光组合物，其包含：
2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物包含约0.001wt％至约10wt％的所述氧化铈磨粒。
3.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有约7至约8的ph值。
4.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含选自以下的非离子性聚合物：聚亚烷二醇、聚醚胺、聚氧化乙烯/聚氧化丙烯共聚物、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、硅氧烷聚氧化烯共聚物、疏水性改性的聚丙烯酸酯共聚物、亲水性非离子性聚合物、多糖和其组合。
5.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含阳离子性表面活性剂。
6.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含式(i)的自停止剂：
7.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含选自铵盐、钾盐和其组合的电导率调节剂。
8.根据权利要求7所述的抛光组合物，其中所述电导率调节剂选自硝酸铵、氯化铵、溴化铵、乙酸铵、硝酸钾、氯化钾、溴化钾、乙酸钾、二烯丙基二甲基氯化铵、四丁基溴化铵、四甲基溴化铵、四乙基溴化铵、苯甲基三甲基溴化铵、四丁基氯化铵、四甲基氯化铵、四乙基氯化铵、苯甲基三甲基氯化铵、四丁基乙酸铵、四甲基乙酸铵、四乙基乙酸铵、苯甲基三甲基乙酸铵和其组合。
9.根据权利要求7所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有至少170μs/cm的电导率。
10.根据权利要求7所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有至少350μs/cm的电导率。
11.一种化学机械抛光衬底的方法，其包含：
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述抛光组合物包含约0.001wt％...
【专利技术属性】
技术研发人员：B·赖斯，张柱然，金声宇，黄禾琳，
申请(专利权)人：CMC材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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