用于介电质化学机械研磨的包含高分子量聚合物的基于二氧化硅的浆料组合物制造技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨组合物，其包含：(a)约3.0重量％至约10重量％的二氧化硅研磨剂；(b)具有约400kDa至约7000kDa的重均分子量的阴离子聚合物；和(c)水，其中所述研磨组合物的粘度为至少约1cPs，粘度(cPs)与二氧化硅研磨剂重量％的比率为约0.2cPs/重量％至约1.5cPs/重量％，并且pH为约9至约12。本发明专利技术额外提供一种化学机械研磨组合物，其包含：(a)约3.0重量％至约10重量％的二氧化硅研磨剂；(b)具有约300kDa至约7000kDa的重均分子量的非离子聚合物；和(c)水，其中所述研磨组合物的粘度为至少约2cPs，并且pH为约9至约12。本发明专利技术还提供使用所述组合物来化学机械研磨衬底、尤其包含氧化硅、氮化硅、多晶硅或其组合的衬底的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

1、在集成电路和其它电子装置的制造中，多个导电、半导电和介电材料沉积于衬底表面上或从衬底表面去除。随着若干层材料依序地沉积于衬底上并且从所述衬底去除，衬底的最上部表面可能变为非平面的并且需要平坦化。平坦化表面或“研磨”表面为材料从衬底表面去除以形成大体上均匀平坦的表面的工艺。平坦化适用于去除不当的表面构形和表面缺陷，例如，粗糙表面、聚结材料、晶格损坏、刮痕和被污染的层或材料。平坦化还适用于通过去除用于填充特征以及向后续层级的金属化和处理提供均匀表面的盈余的经沉积的材料，而在衬底上形成特征。

2、在所属领域中已熟知用于平坦化或研磨衬底表面的组合物和方法。化学机械平坦化或化学机械研磨(cmp)为用于平坦化衬底的常用技术。cmp利用已知为cmp组合物或更简单为研磨组合物(也称作研磨浆料)的化学组合物以供从衬底选择性地去除材料。通常通过使衬底表面与饱含研磨组合物的研磨垫(例如，研磨布或研磨盘)接触而将研磨组合物施加至衬底。通常通过研磨组合物的化学活动和/或悬浮于研磨组合物中或并入研磨垫(例如，固定的研磨剂研磨垫)中的研磨剂的机械活动而进一步本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械研磨组合物，其包含：

2.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物包含约3.5重量％至约8重量％的二氧化硅研磨剂。

3.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物包含约3.5重量％至约5重量％的二氧化硅研磨剂。

4.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物的pH为约10至约12。

5.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物的粘度为至少约2cPs。

6.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物的粘度(cPs)与二氧化硅研磨剂重量％的比率为约0.4cPs/重量％至约1...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种化学机械研磨组合物，其包含：

2.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物包含约3.5重量％至约8重量％的二氧化硅研磨剂。

3.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物包含约3.5重量％至约5重量％的二氧化硅研磨剂。

4.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物的ph为约10至约12。

5.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物的粘度为至少约2cps。

6.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述研磨组合物的粘度(cps)与二氧化硅研磨剂重量％的比率为约0.4cps/重量％至约1.5cps/重量％。

7.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述聚合物具有约1000kda至约7000kda的重均分子量。

8.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述聚合物具有约2000kda至约4000kda的重均分子量。

9.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述聚合物包含阴离子聚合物，所述阴离子聚合物包含阴离子单体，所述阴离子单体包含羧酸基、膦酸基、磺酸基或其组合。

10.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述聚合物包含阴离子聚合物，所述阴离子聚合物包含选自以下的阴离子单体：2-丙烯酰胺基-2-甲基丙烷磺酸、苯乙烯磺酸盐、2-丙烯酰胺基-2-甲基丁烷磺酸、[2-甲基-2-[(1-氧代-2-丙烯基)氨基]丙基]-膦酸、马来酸、甲基丙烯酸、丙烯酸、其盐及其组合。

11.根据权利要求1所述的研磨组合物，其中所述聚合物包含选自以下的阴离子聚合物：羧甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·赖斯，B·约翰逊，S·奈克，吕龙岱，K·朗，E·纳普顿，D·罗贝洛，S·布鲁斯南，
申请(专利权)人：CMC材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：