【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、在集成电路及其它电子装置的制造中，将导电、半导电及电介质材料的多个层沉积到衬底表面上或从衬底表面移除。由于材料的层是依序沉积到衬底上且从衬底移除，所述衬底的最上部表面可变为非平坦且需要平坦化。将表面平坦化(或“抛光”表面)是其中将材料从衬底的表面移除以形成大致上平整平坦表面的工艺。平坦化可用于移除非所欲的表面形貌及表面缺陷，例如粗糙表面、聚结材料、晶格损伤、划痕、及受污染的层或材料。平坦化还可用于通过移除过量的用于填充特征的沉积材料而在衬底上形成特征且可用于提供平整表面用于后续金属化及加工的层面。
2、所属领域中众所周知用于平坦化或抛光衬底的表面的组合物及方法。化学-机械平坦化或化学-机械抛光(cmp)是用于平坦化衬底的常用技术。cmp使用称为cmp组合物或更简单地称为抛光组合物(也称为抛光浆料)的化学组合物，用于从衬底选择性移除材料。抛光组合物通常通过使衬底的表面与使用抛光组合物饱和的抛光垫(例如抛光布或抛光盘)接触而施覆到衬底。衬底的抛光通常是通过抛光组合物的化学活性及/或悬浮于抛光组合物中或并入到抛光垫...
【技术保护点】
1.一种化学-机械抛光组合物，其包含：
2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物包含约0.001重量％到约10重量％的所述二氧化铈磨料粒子。
3.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有约4到约6的pH。
4.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含选自聚烷二醇、聚醚胺、聚环氧乙烷/聚环氧丙烷共聚物、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、硅氧烷聚环氧烷共聚物、疏水改性的聚丙烯酸酯共聚物、亲水性非离子聚合物、多糖及其组合的非离子聚合物。
5.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种化学-机械抛光组合物，其包含：
2.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物包含约0.001重量％到约10重量％的所述二氧化铈磨料粒子。
3.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有约4到约6的ph。
4.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含选自聚烷二醇、聚醚胺、聚环氧乙烷/聚环氧丙烷共聚物、聚丙烯酰胺、聚乙烯吡咯烷酮、硅氧烷聚环氧烷共聚物、疏水改性的聚丙烯酸酯共聚物、亲水性非离子聚合物、多糖及其组合的非离子聚合物。
5.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含缓冲剂，且其中所述缓冲剂为包含一到五个氮原子的以杂环或杂芳族胺为主的化合物。
6.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含阳离子表面活性剂。
7.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述电导率调整剂选自硝酸铵、氯化铵、溴化铵、乙酸铵、硝酸钾、氯化钾、溴化钾、乙酸钾、氯化二烯丙基二甲基铵、溴化四丁基铵、溴化四甲基铵、溴化四乙基铵、溴化苄基三甲基铵、氯化四丁基铵、氯化四甲基铵、氯化四乙基铵、氯化苄基三甲基铵、乙酸四丁基铵、乙酸四甲基铵、乙酸四乙基铵、乙酸苄基三甲基铵及其组合。
8.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物进一步包含式(i)的自停止剂：
9.根据权利要求1所述的抛光组合物，其中所述抛光组合物具有至少350μs/cm的电导率。
10.一种化学-机械抛光衬底的方法，其包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述抛光组合物包含约0.001重量％到约10重量％的所述二氧化铈磨料粒子。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述抛光组合物具有约4到约6的ph。
【专利技术属性】
技术研发人员：B·赖斯，张柱然，金声宇，黄禾琳，
申请(专利权)人：CMC材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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