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用于硅氧化物、硅氮化物和多晶硅的选择性和非选择性CMP的基于氧化铈的浆料组合物制造技术
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文档序号:43118720
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本发明提供一种化学机械抛光组合物,其包含:(a)氧化铈磨粒;(b)阳离子性聚合物;(c)缓冲液;和(d)水,其中所述抛光组合物具有约6至约9的pH值。本发明还提供一种使用本发明的抛光组合物化学机械抛光衬底、尤其包含硅氧化物、硅氮化物和多晶硅...
该专利属于CMC材料有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过CMC材料有限责任公司授权不得商用。
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