【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件生产，具体涉及一种特征样品套刻量测方法、系统、存储介质及设备。
技术介绍
1、光刻机在逐一曝光完硅片上所有的场（field）后，亦即分步，然后更换硅片，直至曝光完所有的硅片；当对硅片进行工艺处理结束后，需更换掩膜，接着在硅片上曝光第二层图形，也就是进行重复曝光。
2、其中，第二层掩膜曝光的图形必须和第一层掩膜曝光准确的套叠在一起，故称之为套刻。如图1所示，假设图中的虚线框为第一掩膜经曝光的图形，实线框为第二掩膜经曝光后的图形。从理论上讲，这两层图形应该完全重合，但实际上由于各种系统误差和偶然误差的存在，导致了这两层图形的位置发生了偏离，也就是通常所说的出现了套刻偏差。
3、现有技术中存在的问题是，当不同的套刻工艺存在高度差（例如大于5um时），在通过高倍镜头进行拍照时，由于景深限制（例如50x物镜景深3.2um），两个套刻图案无法一次清晰成像。当两次拍照对应两个高度的套刻图案时，由于是分时拍照以及系统存在的误差，导致拍照位置会有变化，通常两次拍照位置存在亚微米级以上的随机偏差，造成无法精确...
【技术保护点】
1.一种特征样品套刻量测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，获取所述特征样品的内外圈高度差数据，根据所述内外圈高度差数据确定所述特征图像的锚点标注形式的步骤，具体包括：
3.根据权利要求2所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，根据预设的锚点标注形式，在所述特征图像中标注锚点，并根据所述锚点的中心坐标与锚点轮廓计算所述特征样品的套刻数据的步骤，具体包括：
4.根据权利要求3所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，所述套刻偏差值的计算表达式为：
5.根据权利要求2所述...
【技术特征摘要】
1.一种特征样品套刻量测方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，获取所述特征样品的内外圈高度差数据，根据所述内外圈高度差数据确定所述特征图像的锚点标注形式的步骤，具体包括：
3.根据权利要求2所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，根据预设的锚点标注形式，在所述特征图像中标注锚点，并根据所述锚点的中心坐标与锚点轮廓计算所述特征样品的套刻数据的步骤，具体包括：
4.根据权利要求3所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，所述套刻偏差值的计算表达式为：
5.根据权利要求2所述的特征样品套刻量测方法，其特征在于，根据预设的锚点标注形式，在所述特征图像中标注锚点，并根据所述锚点的中心坐标与锚点轮...
【专利技术属性】
技术研发人员：王林梓，张立芳，钟锦，胡勇，张瑞江，马铁中，
申请(专利权)人：昂坤视觉北京科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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