SRAF布局方法、光刻掩膜版制作方法、装置、系统、介质及设备制造方法及图纸

一种SRAF布局方法、光刻掩膜版制作方法、装置、系统、介质及设备。所述SRAF布局方法包括：获取已布局的曝光图形数据；将所述已布局的曝光图形数据输入至预设残差网络模型；利用所述预设残差网络模型对所述已布局的曝光图形数据进行处理，得到最终掩膜图形数据；其中，所述最终掩膜图形数据，包括：所述曝光图形数据以及SRAF数据。采用上述方案，可以提高SRAF布局的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种sraf布局方法、光刻掩膜版制作方法、装置、系统、介质及设备。

技术介绍

1、在半导体领域中，为了提高曝光分辨率和可靠性，通常会在光刻掩膜版上设置亚分辨率辅助图形(sub-resolution assistant feature，sraf)。sraf位于光刻掩膜版的稀疏的曝光图形附近，且尺寸明显小于曝光图形，对入射光起到散射作用，使得曝光图形在光学的角度上看起来像密集图形，因此也被称为散射条(scattering bar，sb)。由于sraf添加在光刻掩膜版中原本没有图案的位置，它们在曝光后不能印出，否则会造成缺陷。

2、随着半导体技术不断发展，芯片设计变得越来越复杂。这要求sraf布局方法必须能够处理更细致、更复杂的图案，并且，sraf的有效布局对布局位置的精度有很高的要求。不精确的布局可能导致光刻缺陷，如图案畸变或维度不准确等。

3、然而，采用现有sraf布局方法对sraf布局的效率较低。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的问题是：如何提高sra本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SRAF布局方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的SRAF布局方法，其特征在于，所述预设残差网络模型包括两个以上残差单元，每个残差单元包括若干个卷积层以及一个跳跃连接；所述跳跃连接用于将所述已布局的曝光图形数据与卷积层的输出相加。

3.如权利要求2所述的SRAF布局方法，其特征在于，所述预设残差网络模型还包括：第一卷积层、第一激活函数层、第一批归一化层，所述第一批归一化层与首个残差单元连接；第二批归一化层、第一全连接层、第二激活函数层及第二全连接层，所述第二批归一化层与最后一个残差单元连接。

4.如权利要求1所述的SRAF布局方法，其...

【技术特征摘要】

1.一种sraf布局方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的sraf布局方法，其特征在于，所述预设残差网络模型包括两个以上残差单元，每个残差单元包括若干个卷积层以及一个跳跃连接；所述跳跃连接用于将所述已布局的曝光图形数据与卷积层的输出相加。

3.如权利要求2所述的sraf布局方法，其特征在于，所述预设残差网络模型还包括：第一卷积层、第一激活函数层、第一批归一化层，所述第一批归一化层与首个残差单元连接；第二批归一化层、第一全连接层、第二激活函数层及第二全连接层，所述第二批归一化层与最后一个残差单元连接。

4.如权利要求1所述的sraf布局方法，其特征在于，所述预设残差网络模型是采用以下训练方法训练得到的：

5.如权利要求4所述的sraf布局方法，其特征在于，所述对初始残差网络模型进行训练，包括：对初始残差网络模型中卷积层的参数、批归一化方法、激活函数的选择以及跳跃连接的位置中至少一个进行训练。

6.如权利要求4所述的sraf布局方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨梓宽，任堃，綦殿禹，高大为，吴永玉，
申请(专利权)人：浙江创芯集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：