半导体处理腔室及半导体镀膜设备制造技术

本申请涉及半导体薄膜沉积技术领域，公开一种半导体处理腔室及半导体镀膜设备，其中，所述半导体处理腔室，包括：腔体，在所述腔体的侧壁上设置有进气口；远程等离子体源，与所述进气口相连通，所述远程等离子体源通过所述进气口向所述腔体内输入清洁气体。将用于清洗的清洁气体直接、快速地输入至腔体内，从而缩短了清洁气体中的等离子体和薄膜接触反应的距离，提高了清洗效率、设备产能及工艺稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体薄膜沉积，例如涉及一种半导体处理腔室及半导体镀膜设备。

技术介绍

1、目前，在现有的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd)薄膜制程中，由于等离子体具有扩散特性，导致不仅会在晶圆表面形成薄膜，也会在喷淋板的表面、反应腔的侧壁以及加热盘的底部形成沉积。

2、因此，在制程结束后后需要进行反应腔清洁，现有的pecvd清洁方式一般为使用远程等离子体源(remote plasma source，rps)进行腔室清洗。即清洁气体通过远程等离子体源激活后，流经喷淋板后均匀扩散，以充分清洁反应腔、加热盘等。

3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：

4、相关技术中的rps腔室清洗过程由于喷淋板阻隔或者rps管路过长等原因，会引起清洁气体中的离子碰撞复合损耗。这样，就会导致反应腔的侧壁以及加热盘的底部无法清洗干净，导致rps的清洗效率较低。进而导致半导体工艺的不稳定、产能低以及颗粒物沉积等技术问题。</p>

5、需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体处理腔室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

8.根据权利要求1或7所述的半导体处理腔室，其特征在于，

9.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：

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【技术特征摘要】

1.一种半导体处理腔室，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

5.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

6.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

7.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，

8.根据权利要求1或7所述的半导体处理腔室，其特征在于，

9.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李荣生，杨德赞，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：

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