【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体薄膜沉积，例如涉及一种半导体处理腔室及半导体镀膜设备。
技术介绍
1、目前，在现有的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposition，pecvd)薄膜制程中，由于等离子体具有扩散特性，导致不仅会在晶圆表面形成薄膜，也会在喷淋板的表面、反应腔的侧壁以及加热盘的底部形成沉积。
2、因此，在制程结束后后需要进行反应腔清洁，现有的pecvd清洁方式一般为使用远程等离子体源(remote plasma source，rps)进行腔室清洗。即清洁气体通过远程等离子体源激活后，流经喷淋板后均匀扩散，以充分清洁反应腔、加热盘等。
3、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
4、相关技术中的rps腔室清洗过程由于喷淋板阻隔或者rps管路过长等原因，会引起清洁气体中的离子碰撞复合损耗。这样，就会导致反应腔的侧壁以及加热盘的底部无法清洗干净，导致rps的清洗效率较低。进而导致半导体工艺的不稳定、产能低以及颗粒物沉积等技术问题。
5、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
...【技术保护点】
1.一种半导体处理腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
8.根据权利要求1或7所述的半导体处理腔室，其特征在于，
9.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
11.根据权利要求10所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
12.根据权利要求11所述的半导体处理腔室，其特征在于，所述运动件，包括：
13.根据权利要求10所述的半导体处理腔室，其特征在于，还包括：
14.一种半导体镀膜设备，其特征在于，包括如权利要求1至13中任一项所述的半导
...【技术特征摘要】
1.一种半导体处理腔室，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
6.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的半导体处理腔室，其特征在于，
8.根据权利要求1或7所述的半导体处理腔室，其特征在于，
9.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：李荣生，杨德赞，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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