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本申请涉及半导体薄膜沉积技术领域，公开一种半导体处理腔室及半导体镀膜设备，其中，所述半导体处理腔室，包括：腔体，在所述腔体的侧壁上设置有进气口；远程等离子体源，与所述进气口相连通，所述远程等离子体源通过所述进气口向所述腔体内输入清洁气体。将...
该专利属于江苏微导纳米科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏微导纳米科技股份有限公司授权不得商用。

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