多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法及背接触电池技术

本发明专利技术属于背接触电池技术领域，具体涉及一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法及背接触电池，包括在硅片正面依次沉积第一氧化层、第二氧化层和掺氧非晶硅层，形成钝化层，然后沉积减反层；第一氧化层在不抽真空条件下通过空气升温进行空气热氧化沉积而成，第二氧化层在真空状态且通入笑气条件下通过管式PECVD沉积形成，控制第一氧化层、第二氧化层的厚度比例为1：（0.6‑3.4），第一氧化层的厚度为0.6‑1.2nm，第一氧化层、第二氧化层的厚度之和与掺氧非晶硅层厚度的比例为1：（0.3‑10.8）。本发明专利技术能够大幅提高钝化效果，使得开路电压、短路电流及电池转换效率明显提升；且不占用工艺节拍，节省成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于背接触电池，具体涉及一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法及背接触电池。

技术介绍

1、在现有的背接触电池工艺中，硅片正面的钝化层一般为本征非晶硅层与n型掺杂非晶或微晶硅层的叠层，或者为隧穿多晶钝化接触。但是，采用本征非晶硅层与n型掺杂非晶或微晶硅层叠层作为钝化层，涉及的关键设备主要为板式pecvd，设备成本较高，不利于电池产品的竞争力。

2、而采用管式pecvd沉积隧穿多晶作为钝化层，隧穿层致密性不够，钝化效果较差，无法应用在背接触电池的正面膜层上。

3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的背接触电池采用管式pecvd沉积隧穿多晶作为正面的钝化层的钝化效果差的缺陷，提供一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法及背接触电池，其正面具有多层隧穿氧化钝化配合掺氧非晶硅层，能够大幅提高钝化效果，使得开路电压、短路电流及电池转换效率明显提升；且不占本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，第二氧化层的厚度为0.8-2nm；

3.根据权利要求1所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的沉积条件包括：预设沉积设备的沉积温度为350-550℃以使空气升温至该沉积温度，压力为5000-100000Pa；

4.根据权利要求1或3所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层的沉积条件包括：沉积温度为400-550℃，压力为100-250Pa...

【技术特征摘要】

1.一种多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，第二氧化层的厚度为0.8-2nm；

3.根据权利要求1所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第一氧化层的沉积条件包括：预设沉积设备的沉积温度为350-550℃以使空气升温至该沉积温度，压力为5000-100000pa；

4.根据权利要求1或3所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层的沉积条件包括：沉积温度为400-550℃，压力为100-250pa；

5.根据权利要求1所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，第一氧化层、第二氧化层和掺氧非晶硅层均在管式cvd设备中进行沉积；

6.根据权利要求1所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，第一半导体层包括第一钝化层和第一掺杂硅层，第二半导体层包括第二钝化层和第二掺杂硅层，第一钝化层和第二钝化层各自独立地为隧穿氧化层或本征硅层，第一掺杂硅层、第二掺杂硅层各自独立地为多晶硅、非晶硅或微晶硅。

7.根据权利要求6所述的多层隧穿氧化钝化的背接触电池的制造方法，其特征在于，第一半导体层包括第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包括第二隧穿氧化层和第二掺杂多晶硅层；第一氧化层、第二氧化层的厚度之和...

【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：