【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电阻薄膜制备，具体涉及一种退火态nicr/cuni双层电阻薄膜的制备方法。
技术介绍
1、电子信息技术的发展对无源器件的精度和可靠性提出了更高的要求。电阻薄膜因其具有高精度和低电阻温度系数使其在各类电阻器件中表现出更高可靠性和广泛适用性的优点，在高端电子信息、精密仪器仪表和高端医疗器械等领域发挥重要作用。以镍铬nicr合金代表的镍系电阻薄膜作为目前最常用的电阻薄膜材料，具有较好的耐受严酷工况的特性和器件稳定性，但因其电阻率调控范围有限以及非零电阻温度系数tcr的问题，导致其在更高精密要求和大温差服役环境下的应用受到限制。
2、因此，需要对以镍铬合金为代表的镍系电阻薄膜的电阻率调控范围以及tcr进行合理的优化，以扩大电阻率的调控范围以及使tcr趋近于零。目前，通常采用双材料体系结构复合的方式将tcr为负的薄膜材料与tcr为正的nicr薄膜材料体系堆叠并联，随工作环境温度变化双材料体系电阻率发生相反变化，从而对整体电阻薄膜率的变化起到补偿的效果，获得tcr趋零的电学性能。然而，采用上述方法得到的双层电阻薄膜在真空状...
【技术保护点】
1.一种退火态NiCr/CuNi双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的退火态NiCr/CuNi双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述热处理的保温时间为30min～60min。
3.根据权利要求1所述的退火态NiCr/CuNi双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述CuNi薄膜的厚度为270nm～300nm；NiCr薄膜的厚度为380nm～400nm。
4.根据权利要求1所述的退火态NiCr/CuNi双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述NiCr薄膜具体制备过程如下：
5.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种退火态nicr/cuni双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的退火态nicr/cuni双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述热处理的保温时间为30min～60min。
3.根据权利要求1所述的退火态nicr/cuni双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述cuni薄膜的厚度为270nm～300nm；nicr薄膜的厚度为380nm～400nm。
4.根据权利要求1所述的退火态nicr/cuni双层电阻薄膜的制备方法，其特征在于，所述nicr薄膜具体制备过程...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。