【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体,具体而言,涉及一种用于cvd设备的加热装置及cvd设备。
技术介绍
1、化学气相淀积(chemical vapor deposition,简称cvd)指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需的其它气体引入反应腔,在晶圆表面发生化学反应,从而生成所需的固态薄膜,并淀积在晶圆表面的过程。cvd设备能够提供在晶圆表面外延生长所需的温度、压力、化学气体组分等条件。cvd设备中设有真空的反应腔,反应腔中设有托盘,通过进气装置(例如喷淋头)将反应气体引入反应腔内,并输送到放置在托盘上的晶圆的表面进行处理,从而生长出特定的晶体结构。
2、现有的cvd设备的结构设计中,为了提高反应的均匀性,托盘需要在反应过程中保持高速旋转,因此,在托盘下方采用了边缘支撑的方式,以使驱动件能够通过支撑结构带动托盘转动;同时,为了促进反应顺利进行,还在托盘下方布置了加热元件,以对反应过程中的温度进行调控。但是,由于边缘支撑的存在,因此,加热元件的直径小于托盘的直径,导致加热元件对托盘边缘的加热效率不足,并且,由于托盘边缘的
...【技术保护点】
1.一种用于CVD设备的加热装置,其特征在于,包括托盘、导热件、旋转连接件和加热元件,所述导热件沿所述托盘的边缘围设在所述托盘的下表面,所述旋转连接件固定设置在所述导热件远离所述托盘的端面,所述旋转连接件用于与CVD设备的驱动件连接以通过所述导热件带动所述托盘转动,所述加热元件设置在所述托盘和所述导热件形成的容纳空间内,所述加热元件用于对所述托盘和所述导热件进行加热,所述导热件与所述托盘之间的接触面积大于所述导热件与所述旋转连接件之间的接触面积。
2.根据权利要求1所述的用于CVD设备的加热装置,其特征在于,所述导热件靠近所述旋转连接件的一侧和/或所述旋转
...【技术特征摘要】
1.一种用于cvd设备的加热装置,其特征在于,包括托盘、导热件、旋转连接件和加热元件,所述导热件沿所述托盘的边缘围设在所述托盘的下表面,所述旋转连接件固定设置在所述导热件远离所述托盘的端面,所述旋转连接件用于与cvd设备的驱动件连接以通过所述导热件带动所述托盘转动,所述加热元件设置在所述托盘和所述导热件形成的容纳空间内,所述加热元件用于对所述托盘和所述导热件进行加热,所述导热件与所述托盘之间的接触面积大于所述导热件与所述旋转连接件之间的接触面积。
2.根据权利要求1所述的用于cvd设备的加热装置,其特征在于,所述导热件靠近所述旋转连接件的一侧和/或所述旋转连接件靠近所述导热件的一侧开设有减材槽。
3.根据权利要求2所述的用于cvd设备的加热装置,其特征在于,所述减材槽的数量为多个;
4.根据权利要求1所述的用于cvd设备的加热装置,其特征在于,所述导热件靠近所述旋...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕青,李瑞,施广涛,胡启凡,
申请(专利权)人:中晟半导体上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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