【技术实现步骤摘要】
本申请涉及化学气相沉积工艺，具体而言，涉及气体输送装置以及化学气相沉积设备。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)是一种利用气态或者蒸汽态物质在基板表面反应生成固态沉积物的技术。这些反应通常在加热的基板上进行，可以形成各种材料和结构的薄膜。在cvd过程中，一种或者多种工艺气体被引入反应腔，并在外部能量作用下发生化学反应，从而在加热的基板表面形成所需的薄膜。
2、运载气体在cvd过程中起到促进反应进行、辅助清洁基底、提供氢原子、控制反应条件等作用。然而，目前运载气体大部分位于工艺气体端，和工艺气体一起进入反应腔内。这容易导致工艺气体汇入处的总流量和压力过高，相应地，工艺气体所需源压也更高；进而提高了管路压力和管路流量的调节难度，不利于管路压力和管路流量的稳定。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请实施例的目的在于提供一种气体输送装置以及化学气相沉积设备，用以解决现有的cvd设备中的管路压力和管路流量的调节难度高且稳定性较差的技术问
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【技术保护点】
1.一种气体输送装置，其特征在于，所述装置包括：运行管路、排气管路、导气管路、至少一个气体输送管路、第一流量控制器和第二流量控制器；
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：调节管路和调节流量控制器；
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第一互锁单元和至少一个第二互锁单元；
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，其中，所述调节管路的另一端设置在所述导气管路的另一端的内侧；所述第一流量控制器包括管路流量调控器和运行流量控制器；
5.根据权利要求1-4任一所述的装置，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种气体输送装置，其特征在于，所述装置包括：运行管路、排气管路、导气管路、至少一个气体输送管路、第一流量控制器和第二流量控制器；
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：调节管路和调节流量控制器；
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第一互锁单元和至少一个第二互锁单元；
4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，其中，所述调节管路的另一端设置在所述导气管路的另一端的内侧；所述第一流量控制器包括管路流量调控器和运行流量控制器；
5.根据权利要求1-4任一所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：运行压力控制器和排气压力控制器；
6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，其中...
【专利技术属性】
技术研发人员：李瑞，许燚南，
申请(专利权)人：中晟半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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