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本申请涉及化学气相沉积工艺技术领域,具体提供气体输送装置以及化学气相沉积设备。该气体输送装置包括:运行管路、排气管路、导气管路、至少一个气体输送管路、第一流量控制器和第二流量控制器。通过导气管路可以将部分运载气体直接输送至反应腔,以降低其余...该专利属于中晟半导体(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中晟半导体(上海)有限公司授权不得商用。
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本申请涉及化学气相沉积工艺技术领域,具体提供气体输送装置以及化学气相沉积设备。该气体输送装置包括:运行管路、排气管路、导气管路、至少一个气体输送管路、第一流量控制器和第二流量控制器。通过导气管路可以将部分运载气体直接输送至反应腔,以降低其余...