一种掩膜图形处理方法、系统、掩膜版、电子设备及介质技术方案

本发明专利技术公开了一种掩膜图形处理方法、系统、掩膜版、电子设备和介质，方法包括：提供目标图形；其中，目标图形通过调节第一初始图形和第二初始图形对应的尺寸参数所确定；利用目标函数对目标图形进行像素优化处理，以确定光罩图形，进而依据光罩图形确定掩膜图形；即本申请以要实现的的晶圆上的图形为目标图形，进行反向求解出掩膜图形，也即将对应的目标图形进行参数化处理，进而控制第一初始图形和第二初始图形之间的尺寸参数确定目标图形，并进行反向求解，以获取高精度的、高分辨率的掩膜图形，且降低了生产成本，提供了不同的思路，并保证了后续所形成的半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路的，特别是涉及一种掩膜图形处理方法、系统、掩膜版、电子设备及介质。

技术介绍

1、在半导体器件制造中，随着设计尺寸的不断缩小，设计尺寸越来越接近光刻成像系统的极限，光的衍射效应变得越来越明显，导致最终对设计图形产生光学影像退化，实际形成的光刻图案相对于掩膜版上的图案发生严重畸变，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形和设计图形不同，这种现象称为光学邻近效应(ope：optical proximity effect)。

2、在实践过程中，本申请的研发员发现，当前的技术方案，通常是采用光学邻近修正(opc：optical proximity correction)工艺来形成上述目标图形，然而是基于目标图形分段进行处理，对于一些复杂的结构和特征，不能有效形成，或形成后有偏差，即无法实现高精度、高分辨率的光刻掩模图形，进而影响了半导体器件性能。

技术实现思路

1、本申请主要解决的技术问题是提供一种掩膜图形处理方法、系统、掩膜版、电子设备及介质，能有效获取高精度、高分辨率的光刻掩膜图形，以保证本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种掩膜图形处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

9.一种掩膜图形处理系统，其特征在于，包括：

10.一种掩膜版，其特征在于，包括：利用权利要求1-8任一项所述的方法获得的图...

【技术特征摘要】

1.一种掩膜图形处理方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

9.一种掩膜图形处理系统，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜杳隽，陈红，舒忠，
申请(专利权)人：深圳国微芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：