【技术实现步骤摘要】
【】本专利技术涉及光刻工艺,其特别涉及一种版图拆分方法、计算机程序产品、设备及存储介质。
技术介绍
0、
技术介绍
1、随着半导体芯片先进节点的发展,电路集成度的提高对制造工艺要求更为严苛,传统的单版图掩模光刻技术无法满足分辨率要求,双重图形技术可以将原始设计版图拆分为两层掩模,在增大工艺窗口同时还提高了分辨率,因此被广泛应用于先进节点中。
2、在设计版图时设计公司也会考虑版图的均匀化要求,因此一个版图密度接近且比较均匀的掩模版对于光刻以及刻蚀具有极大的促进作用。为了保证光刻与刻蚀有较大的工艺窗口,两张掩模版具有接近的密度以及均匀化程度较好至关重要。
3、由于非冲突图形在光刻时没有分辨率极限的限制,因此拆分的方法随机且不固定。现有的双重图形拆分技术在对非冲突区域进行拆分的过程中,是基于面积比值进行平衡版图密度的,这种拆分的缺点是无法直接衡量子版图的均匀度。如果两张掩模版分别在不同区域存在大量的稀疏与稠密图形,不仅会导致光刻的过程中工艺窗口较小,还会影响成像质量。
技术实现
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1.一种版图拆分方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于:根据所述密度平衡算法计算两两所述非冲突图形之间的所述拆分权重值通过公式Wi,j=a*Spacei,j+b*Lengthi,j+c*(S1/(S1+S2))实现;
3.如权利要求2所述的版图拆分方法,其特征在于:基于所述拆分权重值将所述非冲突图形拆分至所述第一初始子版图或所述第二初始子版图,获得拆分完成后的第一子版图和第二子版图,包括以下步骤:
4.如权利要求3所述的版图拆分方法,其特征在于:基于所述拆分权重值的大小将所述非冲突图形拆分至
...【技术特征摘要】
1.一种版图拆分方法,其特征在于:包括以下步骤:
2.如权利要求1所述的版图拆分方法,其特征在于:根据所述密度平衡算法计算两两所述非冲突图形之间的所述拆分权重值通过公式wi,j=a*spacei,j+b*lengthi,j+c*(s1/(s1+s2))实现;
3.如权利要求2所述的版图拆分方法,其特征在于:基于所述拆分权重值将所述非冲突图形拆分至所述第一初始子版图或所述第二初始子版图,获得拆分完成后的第一子版图和第二子版图,包括以下步骤:
4.如权利要求3所述的版图拆分方法,其特征在于:基于所述拆分权重值的大小将所述非冲突图形拆分至所述第一初始子版图或所述第二初始子版图,包括以下步骤:
5.如权利要求2所述的版图拆分方法,其特征在于:获得拆分完成后的所述第一子版图和所述第二子版图之后,还包括以下步骤:
6.如权利要求2所述的版图拆分方法,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:何炳奇,
申请(专利权)人:深圳晶源信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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