一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置。本发明专利技术包括超高真空腔体、操控装置、样品台、样品托、负电压源、正电压源和直流电源。操控装置安装在真空腔体上，包括样品架和样品杆，样品架设置有旋转台、操纵台和接线端子。样品台的铜台底座与样品杆连接，设有陶瓷套筒，筒内设钨丝。陶瓷卡件设置有两对电极夹，开有通光槽。片状样品托中部设有样品容纳槽，边沿设置有热偶和电场电极片。直流电源的正极连通连接钨丝一端，钨丝另一端连通直流电源的负极和负电压源的负极。正电压源的正极和负极分别连通单晶样品的上表面和样品托。本发明专利技术采用电子束加热，可实现快速升温，采用多电极结构，能实现原位精确测温，为样品分析提供电场条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超高真空设备，具体涉及一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置。

技术介绍

1、超高真空原位表面表征装置是在超高真空条件下，利用红外反射吸收光谱、低能电子衍射、光电子能谱、程序控温脱附等系列手段对材料表面的物理化学性质进行研究。研究时往往涉及到样品温度的变化和控制，例如为获得清洁的、原子级平整的半导体单晶样品或半导体薄膜样品表面，实验人员通常利用氩离子刻蚀和高温退火技术对其表面进行处理。甚至部分样品在打烧过程中，需要达到上千度的温度。除高温环境外，各类超高真空环境下的实验对低温环境也有相应需求。薄膜样品生长有时需要在低温条件下进行，在薄膜生长的过程中，若半导体单晶衬底的冷却或温控效果不佳，生长在衬底上的薄膜的质量皆会受到影响。此外，本装置在实验时，还可以在半导体单晶样品上施加特定外电场以研究在外电场影响下样品表面的特性。目前，尚未见有相关能够施加外电场条件的超高真空表面表征装置的报道。

技术实现思路

1、本专利技术的目的是提供一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置。p>

2、本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置，包括超高真空腔体、操控装置、样品台、样品托、负电压源、正电压源和直流电源，其特征在于：

2.如权利要求1所述的一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置，其特征在于：加热时，打开直流电源使钨丝接入电流，调节负电压源使其带上负电压，利用电子束轰击的方式快速加热半导体样品。

3.如权利要求1所述的一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置，其特征在于：所述的直流电源提供0～20A电流，负电压源提供-1000～0V负电压，正电压源提供+100～+1000V正电压。

4.如权利要求1所述的一种快速升降温的多电极超...

【技术特征摘要】

1.一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置，包括超高真空腔体、操控装置、样品台、样品托、负电压源、正电压源和直流电源，其特征在于：

2.如权利要求1所述的一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置，其特征在于：加热时，打开直流电源使钨丝接入电流，调节负电压源使其带上负电压，利用电子束轰击的方式快速加热半导体样品。

3.如权利要求1所述的一种快速升降温的多电极超高真空原位表征装置，其特征在于：所述的直流电源提供0～20a电流，负电压源提供-1000～0v负电压，正电压源提供+100～+1000v正电压。

4.如权利要求1所述的一种快速升降温的多电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟建强，刘万豪，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：