【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光刻分析领域，尤其涉及一种光强的计算方法、装置、设备及介质。
技术介绍
1、偏振是光作为电磁波的一种本征性质。在光刻系统中，使用适当的偏振光源可提升图形分辨率，是实现先进制程工艺的支撑性技术。为模拟光刻成像过程，计算光刻软件需要正确处理光的偏振效应；同时，由于先进制程芯片结构复杂、图形密集，光学临近效应修正(optical proximity correction，opc)等计算光刻软件的应用需要对光强进行大量计算，以得到掩模版空间像(aerial image)仿真结果。因此，确保计算光刻软件的准确性和速度极为关键。
2、现有主流光刻仿真软件计算光强的方法有两种：基于阿贝(abbe)成像原理的计算方法和基于霍普金斯(hopkins)成像公式的计算方法。然而，前者需要对光源进行逐点计算，掩膜图形变得复杂时计算量极大，无法做到快速；后者的基础假设不同方向的光在像平面上仅为简单叠加，没有考虑到光的偏振效应，在数值孔径(numerical aperture)较大且使用偏振光源的场景下误差较大。这表明现有计算方法无法同时...
【技术保护点】
1.一种光强的计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用阿贝成像原理结合光学薄膜叠层的折射和反射效应对光的偏振进行计算，得到光源单点对像平面电场强度的关系式具体包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光强一个周期内与电场强度平方的平均值的关系式满足以下公式：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当将电场分解至x轴和y轴方向，则同一空间位置两个方向的电场强度分量为：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对于一束单位强度正入射的相干光，其在像平面上的复振幅分布如下式
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【技术特征摘要】
1.一种光强的计算方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用阿贝成像原理结合光学薄膜叠层的折射和反射效应对光的偏振进行计算，得到光源单点对像平面电场强度的关系式具体包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述光强一个周期内与电场强度平方的平均值的关系式满足以下公式：
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当将电场分解至x轴和y轴方向，则同一空间位置两个方向的电场强度分量为：
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，对于一束单位强度正入射的相干光，其在像平面上的复振幅分布如下式所示：
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述矢量形式的阿贝成像公式满足以下公式：
7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，当不同方向的光在像平面上的光强直接叠加得到总的空间像时，阿贝成像公式为：
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用方向角α和相位差φ计算光源的偏振，α和φ与式(6)中ax，ay和δ的对应关系为：
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，将式(30)代入式(14)，并参照式(18)进行整理，提取出与式(19)对应的积分式，即可得到传输交叉系数矢量表达式；为节省篇幅，将将频率域坐标(μ,v)简记为μ；同理(μ+μ1,v+v1)被简记为μ+μ1，其余符号同理；当xy4偏振模式时...
【专利技术属性】
技术研发人员：张至美，
申请(专利权)人：上海集成电路制造创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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